[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202111165239.0 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113903659A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 吉原贵光;贝沼隆浩;冈浩伟 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路，该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面；(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式，研磨晶片的背表面，该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分)；(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面；以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时，通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分，来将中心部分与周缘部分分割开。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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