[发明专利]制造半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 202111165239.0 申请日: 2016-03-23
公开(公告)号: CN113903659A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 吉原贵光;贝沼隆浩;冈浩伟 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;H01L21/683;H01L21/78
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法
【说明书】:

本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤:(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路,该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面;(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式,研磨晶片的背表面,该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分);(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面;以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时,通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分,来将中心部分与周缘部分分割开。

分案申请说明

本申请是申请日为2016年3月23日、申请号为201610170129.6、名称为“制造半导体器件的方法”的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

2015年3月30日提交的日本专利申请2015-070422号的公开,包括说明书、附图和摘要,以引用的方式全部并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于半导体器件的制造技术,并且更加具体地,涉及一种有效地应用于半导体器件的制造方法的技术,该技术包括分割半导体晶片以获得多个半导体芯片的步骤。

背景技术

日本特开2011-96767号公报(专利文件1)、日本特开2014-138177号公报(专利文件2)和日本特开2014-170822号公报(专利文件3)描述了用于研磨晶片的背侧以将凸出的外周部分保留为围绕器件区域的环的形式的方法。

专利文件1公开了一种涉及将器件区域从外围部分切分并且然后研磨该器件区域的背侧的方法。而且,专利文件2公开了一种涉及研磨晶片的背侧以将其外周部分保留下来,并且然后通过使用贴附至晶片的背侧的胶带通过激光器和切割刀片将器件区域与外周部分分割开的方法。而且,专利文件3公开了一种涉及研磨晶片的背侧以将其外周部分保留下来,并且然后通过使用贴附至晶片的背侧的胶带借由与晶片的正表面侧接触的切割刀片将器件区域与外周部分分割开的方法。

日本特开2012-19126号公报(专利文件4)公开了一种涉及用第一刀片按圆形切割晶片的外周,并且用第二刀片对晶片的外周壁进行抛光的方法。

[现有技术文件]

[专利文件]

[专利文件1]日本特开2011-96767号公报

[专利文件2]日本特开2014-138177号公报

[专利文件3]日本特开2014-170822号公报

[专利文件4]日本特开2012-19126号公报

发明内容

在半导体器件的制造方法中,在设置在半导体晶片的器件区域中的多个相应芯片区域中,共同地形成集成电路,并且然后将芯片区域分割,从而制造出半导体器件。在这种情况下,在不将芯片区域与半导体晶片分割开的状态下对半导体晶片执行各种类型的制造工艺,直到将芯片区域分割的步骤为止。

为了在各个制造工艺中的每一个中高精确度地处理半导体晶片,需要一种抑制半导体晶片的翘曲和变形的技术。例如,如上面提及的专利文件3所描述的,涉及研磨半导体晶片的背侧以将环状凸出部保留在器件区域的周围(periphery)的外部处的方法,有效地作为一种用于在制造工艺期间抑制半导体晶片的翘曲和变形的技术。

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