[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)在半导体晶片的第一表面上形成电路，所述半导体晶片具有所述第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

(b)研磨具有第一部分和包围所述第一部分的周围的第二部分的所述半导体晶片的所述第二表面，使得所述第一部分的厚度比所述第二部分的厚度更薄，所述第一部分具有多个芯片区域和设置在多个芯片区域之间的多个切割区域；

(c)将第一胶带的接合表面贴附至所述半导体晶片的所述第一表面；以及

(d)在所述半导体晶片由所述第一胶带保持的同时，通过用与所述第一部分的所述第二表面接触的第一旋转刀片切割所述第一部分的部分，来将所述第一部分与所述第二部分分割开；

(e)在所述步骤(d)之后，去除所述第二部分；

(f)在所述第一胶带贴附至所述半导体晶片的情况下，将第二胶带的接合表面贴附至所述半导体晶片的所述第一部分的所述第二表面侧；以及

(g)在所述步骤(f)之后，将所述第一胶带从所述半导体晶片剥离；

(h)在所述步骤(g)之后，在所述半导体晶片由所述第二胶带保持的同时，用与所述第一部分的所述第一表面侧接触的第二旋转刀片，沿着所述划片区域的各自延伸方向切割所述第一部分，从而将所述晶片分割为相应的芯片区域；

所述第一胶带包括第一基材和第一粘合层，所述第一粘合层设置在所述第一基材的一个表面处、并且贴附至所述半导体晶片的所述第一表面，

其中所述第二胶带包括第二基材和第二粘合层，所述第二粘合层设置在所述第二基材的一个表面处、并且贴附至所述半导体晶片的所述第一部分的所述第二表面，并且

其中所述第一粘合层比所述第二粘合层更厚；

所述步骤(b)为，

(b1)使用第一研磨石对所述半导体晶片的所述第二表面进行研磨步骤，

(b2)在所述步骤(b1)之后，使用具有比所述第一研磨石的研磨颗粒粒径更小的研磨颗粒粒径的第二研磨石对所述半导体晶片的所述第二表面进行研磨；

在所述步骤(b)完成后，在所述半导体晶片的所述第一部分与所述第二部分之间形成台阶部，

在所述步骤(d)中，所述第一旋转刀片的一部分与所述台阶部重叠。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一胶带比在所述步骤(b)之后的所述第一部分更厚。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述步骤(c)包括以下步骤：

(c1)在使所述旋转刀片转动的同时，通过移动所述旋转刀片、以沿着所述半导体晶片的所述第一部分的外边缘画弧线，来在所述第一部分的所述第二表面侧处执行切割工艺，从而形成沟槽；以及

(c2)在所述步骤(c1)之后，沿着所述沟槽执行另外的切割工艺，从而在其厚度方向上切割所述第一部分。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(c1)中形成的所述沟槽的深度，比在所述步骤(c2)中执行的所述切割工艺中的切割沟槽深度更深。

5.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(c1)中的切割工艺宽度，与在步骤(c2)中的切割工艺宽度基本上相同。

6.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，

其中所述旋转刀片和所述半导体晶片在所述步骤(c1)与所述步骤(c2)之间保持彼此接触。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(c)中，沿着所述半导体晶片的所述第一部分的外边缘进行切割。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(c)中，切割所述第一部分，以沿着所述半导体晶片的所述第一部分的外边缘画弧线。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(b)之后，所述第一部分的厚度小于或等于100μm。