[发明专利]两步制备钙钛矿薄膜的方法、其装置、制备方法及钙钛矿电池在审
| 申请号： | 202111154811.3 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113921724A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李明洁;吴俊杰;王雪戈 | 申请（专利权）人： | 无锡极电光能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 214101 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种两步制备钙钛矿薄膜的方法、其装置、制备方法及钙钛矿电池，所述的方法包括：在基底表面制备第一电荷传输层，采用近空间升华法或气相输运法在第一电荷传输层表面沉积无机前驱体层，随后在无机前驱体表面涂布有机前驱体溶液，经退火处理后，无机前驱体层和有机前驱体溶液反应形成钙钛矿薄膜。本发明制备钙钛矿薄膜可不依赖基底的平整度，可以在绒面基底上及具有一定较大粗糙度的基底上制备大面积且均匀的钙钛矿薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 钙钛矿 薄膜 方法 装置 电池 | ||
【主权项】：
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