[发明专利]两步制备钙钛矿薄膜的方法、其装置、制备方法及钙钛矿电池

权利要求书

1.一种两步制备钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述的方法包括：

在基底表面制备第一电荷传输层，采用近空间升华法或气相输运法在第一电荷传输层表面沉积无机前驱体层，随后在无机前驱体表面涂布有机前驱体溶液，经退火处理后，无机前驱体层和有机前驱体溶液反应形成钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底包括导电玻璃基底或绒面基底；

优选地，所述第一电荷传输层的材料包括硫氰酸亚铜、碘化亚铜、氧化亚铜、氧化镍、五氧化二钒、三氧化钼、22'77'-四[NN-二(4-甲氧基苯基)氨基]-99'-螺二芴、聚(3-己基噻吩-2,5-二基)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、二氧化钛、二氧化锡、富勒烯、浴铜灵、氧化锌或[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯中的任意一种；

优选地，所述第一电荷传输层的制备方法包括蒸发法、溅射法、化学浴沉积法、前驱溶液旋涂法、前驱溶液刮涂法或狭缝式涂布法；

优选地，所述第一电荷传输层的厚度为0.1～50nm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述近空间升华法在近空间升华装置中进行，所述近空间升华装置中包括盛放有无机前驱体的升华源，所述升华源的温度控制在80～1000℃；

优选地，所述气相输运法在气相输运装置中进行，所述气相输运装置中包括盛放有无机前驱体的蒸发舟，所述蒸发舟的温度控制在60～300℃；

优选地，所述近空间升华装置和气相输运装置内部设置有基底载台，所述基底载台在近空间升华装置和气相输运装置内水平移动，从而将基底传送至下一工序；

优选地，所述基底载台的温度控制在20～300℃。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述无机前驱体层的材料包括含铅无机前驱体；

优选地，所述含铅无机前驱体包括PbI₂、PbBr₂或PbCl₂中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述无机前驱体层的材料还包括含铯无机前驱体；

优选地，所述含铯无机前驱体包括CsI、CsBr或CsCl中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述无机前驱体层的厚度为100～600nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述涂布为狭缝式涂布或刮涂；

优选地，所述涂布的速度为5～50mm/s；

优选地，所述涂布在涂布装置中进行；

优选地，所述涂布装置的注液量为5～500μL/s；

优选地，所述涂布装置的狭缝高度为10～200μm；

优选地，所述涂布装置的风刀风压为0.01～0.1MPa。