[发明专利]微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板有效
| 申请号： | 202111149257.X | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113921378B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 夏玉明;朱虹玲;袁海江 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786;C23C16/24 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市石岩街道石龙社区工*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板，微晶硅的制备方法包括步骤：将硅前驱体通入至反应腔室内；通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；通入还原气体至反应腔室内；通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；重复上述步骤，重复预设次数得到预设厚度的非晶硅薄膜；在预设温度下，将预设厚度的非晶硅薄膜进行退火处理以形成微晶硅；其中，所述预设温度小于400℃。本申请在较低温度下采用原子层沉积技术制备得到原子连续性好、有序度高、高迁移率的微晶硅，避免在高温情况下制备非晶硅而破坏衬底基板。 | ||
| 搜索关键词： | 微晶硅 制备 方法 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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