[发明专利]微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板

说明书

本申请公开了一种微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板，微晶硅的制备方法包括步骤：将硅前驱体通入至反应腔室内；通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；通入还原气体至反应腔室内；通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；重复上述步骤，重复预设次数得到预设厚度的非晶硅薄膜；在预设温度下，将预设厚度的非晶硅薄膜进行退火处理以形成微晶硅；其中，所述预设温度小于400℃。本申请在较低温度下采用原子层沉积技术制备得到原子连续性好、有序度高、高迁移率的微晶硅，避免在高温情况下制备非晶硅而破坏衬底基板。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板。

背景技术

随着显示技术的发展和人民对高清显示产品的要求越来越高，大尺寸，高分辨率及高刷新频率产品成为显示产品的发展方向，高分辨率和高刷新率的面板必然会导致充电率的下降，因而对薄膜晶体管器件要求越来越高，要求高电子迁移率薄膜晶体管器件的引入成为必要，但是薄膜晶体管器件中普遍采用非晶硅的迁移率在0.1-1cm2/Vs, 这么低的迁移率对于高阶产品而言，很难得到应用。

多晶硅普遍采用的方法采用将制备的非晶硅经过一道高温退火工艺，来提高非晶硅原子有序度，来提高其迁移率，但是这种高温处理工艺，对衬底基板会产生伤害，也不利于进一步发展；如何能在较低的温度下制备高迁移率的有源层材料，提高迁移率，成为本领域亟需解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板，旨在不伤害衬底基板的同时提高微晶硅的电子迁移率。

本申请公开了一种微晶硅的制备方法，包括步骤：

S1：将硅前驱体通入至反应腔室内；

S2：通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；

S3：通入还原气体至反应腔室内；

S4：通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；

S5：重复步骤S1-S4，重复预设次数得到预设厚度的非晶硅薄膜；

S6：在预设温度下，将预设厚度的非晶硅薄膜进行退火处理以形成微晶硅；

其中，所述预设温度小于400℃。

可选的，所述步骤S1包括步骤：

持续通入速率为10-50毫升每分钟的硅前驱体至反应腔室内的，持续时间为0.01-0.05s；结束通入硅前驱体后停留3-10s。

可选的，所述步骤S2包括步骤：

持续通入速率为20-80毫升每分钟的氩气或氮气至反应腔室内进行吹扫，持续吹扫时间为5-15s；

所述步骤S3包括步骤：

持续通入速率为40-120毫升每分钟的氢气或一氧化碳至反应腔室内，持续时间为0.01-0.03s；结束通入还原气体后停留2-6s。

可选的，所述步骤S4包括步骤：

持续通入速率为20-80毫升每分钟的氩气或氮气至反应腔室内进行吹扫，持续吹扫时间为3-8s。

可选的，最后一次通入氩气或氮气至反应腔室内进行吹扫的速率大于第一次至倒数第二次通入氩气或氮气至反应腔室内进行吹扫的速率，最后一次通入氩气或氮气速率为50-150毫升每分钟。

可选的，所述步骤S5中包括步骤：

在达到预设次数的1/N时，会进行一次退火处理，退火处理完成继续执行步骤S1-S4；

其中，N为大于等于2且小于等于10的自然数。