[发明专利]微晶硅的制备方法、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在衬底基板上依次形成栅极，栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成微晶硅层；

在微晶硅层上依次形成源极、漏极以及钝化层；

其中，所述微晶硅层使用微晶硅的制备方法制备形成；

所述微晶硅的制备方法包括步骤：

S1：将硅前驱体通入至反应腔室内；

S2：通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；

S3：通入还原气体至反应腔室内；

S4：通入惰性气体至反应腔室内进行吹扫；

S5：重复步骤S1-S4，重复预设次数得到预设厚度的非晶硅薄膜；

S6：在预设温度下，将预设厚度的非晶硅薄膜进行退火处理以形成微晶硅；

其中，所述预设温度小于400℃。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括步骤：

持续通入速率为10-50毫升每分钟的硅前驱体至反应腔室内的，持续时间为0.01-0.05s；结束通入硅前驱体后停留3-10s。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括步骤：

持续通入速率为20-80毫升每分钟的氩气或氮气至反应腔室内进行吹扫，持续吹扫时间为5-15s；

所述步骤S3包括步骤：

持续通入速率为40-120毫升每分钟的氢气或一氧化碳至反应腔室内，持续时间为0.01-0.03s；结束通入还原气体后停留2-6s。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括步骤：

持续通入速率为20-80毫升每分钟的氩气或氮气至反应腔室内进行吹扫，持续吹扫时间为3-8s。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，最后一次通入氩气或氮气至反应腔室内进行吹扫的速率大于第一次至倒数第二次通入氩气或氮气至反应腔室内进行吹扫的速率，最后一次通入氩气或氮气速率为50-150毫升每分钟。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中包括步骤：

在达到预设次数的1/N时，会进行一次退火处理，退火处理完成继续执行步骤S1-S4；

其中，N为大于等于2且小于等于10的自然数。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1之前还包括步骤：

将制备微晶硅的反应腔室抽成真空，并升温至190-300℃；

其中，抽成真空后的反应腔室内的压强小于5毫托。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述预设温度的取值范围为200-400℃。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备得到的薄膜晶体管以及对应所述薄膜晶体管的漏极设置的像素电极层。