[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202111138936.7 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115881539A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 苏博;赵佩佩;谢飞;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3065;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在部分所述衬底表面形成栅极；在所述栅极两侧的衬底内形成初始凹槽，所述初始凹槽内壁表面具有第一粗糙度；对所述初始凹槽内壁表面进行多次循环处理，以所述初始凹槽形成凹槽，所述凹槽内壁表面具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度，所述循环处理的方法包括：等离子体处理工艺，所述等离子体处理工艺用于对所述初始凹槽内壁表面进行改性处理，形成初始凹槽内壁表面的改性层；所述等离子体处理工艺后的气相刻蚀工艺，所述气相刻蚀工艺用于去除所述改性层；形成所述凹槽后，采用外延生长技术在所述凹槽内形成源漏层，通过降低凹槽内壁表面的粗糙度，提高后续形成的源漏层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
