[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括:

提供衬底；

在部分所述衬底表面形成栅极；

在所述栅极两侧的衬底内形成初始凹槽，所述初始凹槽内壁表面具有第一粗糙度；

对所述初始凹槽内壁表面进行多次循环处理，以所述初始凹槽形成凹槽，所述凹槽内壁表面具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度，所述循环处理的方法包括：

等离子体处理工艺，所述等离子体处理工艺用于对所述初始凹槽内壁表面进行改性处理，形成初始凹槽内壁表面的改性层；

所述等离子体处理工艺后的气相刻蚀工艺，所述气相刻蚀工艺用于去除所述改性层；

形成所述凹槽后，采用外延生长技术在所述凹槽内形成源漏层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理工艺包括氧化处理工艺。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子处理工艺的工艺参数包括：采用的气体包括氧气，氦气和氩气。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述气相刻蚀工艺的工艺参数包括：反应气体包括氟化氢、氨气和氯化氢中的一者或多者的混合，刻蚀时间范围为1秒至20秒。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理工艺包括氮化处理工艺或无定型化处理工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子处理工艺包括远程等离子体处理工艺。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述远程等离子体处理工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括氧气，所述刻蚀气体还包括氦气和氩气中的一种或两种，功率范围为100瓦至800瓦，无偏压或偏压范围为小于200伏，刻蚀时间范围为1秒至20秒。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述气相刻蚀工艺对所述改性层和所述衬底的刻蚀选择比范围为大于10:1。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底和位于部分所述基底上的鳍部，所述栅极横跨所述鳍部，且位于部分所述鳍部顶部和侧壁。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的材料包括硅；所述源漏层的材料包括锗硅；所述改性层的材料包括氧化硅。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述循环处理工艺中循环次数范围为2次至40次。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始凹槽的深宽比范围为大于2:1。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始凹槽刻蚀工艺包括干法刻蚀工艺。