[发明专利]半导体结构及其测试结构在审
| 申请号： | 202111118335.X | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113571498A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨家诚;汪文婷;王磊 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其测试结构，应用于半导体技术领域。在本发明提供了的一种测试结构中，其通过提出利用类似于脊柱叠层形状的设计的方式，在器件区域之间的切割道内的单位面积上至少堆叠放置两个测试结构，从而实现通过在切割道单位面积上增加测试结构的方式，在有限的切割道内设置足够多的测试结构，以提高晶圆上形成的半导体器件的测试结果的可靠性和稳定性，进而最终改善并提升晶圆良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 测试 | ||
【主权项】：
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