[发明专利]半导体结构及其测试结构

权利要求书

1.一种测试结构，位于切割道中，包括沿所述切割道的长度延伸方向依次排布的多个测试元件组，其特征在于，每个测试元件组均包括：

第一子测试结构和第二子测试结构，沿所述切割道的长度延伸方向依次排布在所述切割道上且相互隔离开；

第一焊盘和第二焊盘，通过形成于所述第一子测试结构和第二子测试结构上方的多层金属互连结构，分别与所述第一子测试结构电性连接；

第三焊盘和第四焊盘，通过所述多层金属互连结构分别与所述第二子测试结构电性连接；

其中，在沿所述切割道的长度延伸方向上，所述第一焊盘、所述第三焊盘、所述第二焊盘和所述第四焊盘依次排列且相互间隔，且在沿垂直于所述衬底的方向上，所述第一焊盘和所述第三焊盘中的至少一个焊盘与所述第一子测试结构的投影有部分交叠，所述第二焊盘和所述第四焊盘中的至少一个焊盘与所述第二子测试结构的投影有部分交叠。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，位于所述第一子测试结构上方的多层金属互连结构与位于所述第二子测试结构上方的多层金属互连结构在沿所述切割道的长度延伸方向未交连，所述多层金属互连结构至少包括三层金属层，各层所述金属层均位于所述第一子测试结构和所述第二子测试结构的上方，且相邻所述金属层之间通过填充在通孔中的导电插塞电连接。

3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一焊盘、所述第三焊盘、所述第二焊盘和所述第四焊盘均与所述多层金属互连结构中的顶层金属层为同一层金属层，且在沿垂直于所述衬底的方向上，位于所述第一子测试结构和所述第一焊盘和所述第三焊盘之间的其余所述互连金属层以及位于所述第二子测试结构和所述第二焊盘和第四焊盘之间的其余所述互连金属层均不是所述顶层金属层。

4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述多层金属互连结构中的各层所述金属层中均包含多条平行的金属线，且相邻所述金属层之间以及相邻金属线之间均填充有绝缘层。

5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一子测试结构和所述第二子测试结构为NMOS晶体管或PMOS晶体管中的一种。

6.如权利要求1中所述的测试结构，其特征在于，所述第一子测试结构为用于晶圆允收测试、电迁移测试或应力迁移测试的半导体结构；和/或，所述第二子测试结构为用于晶圆允收测试、电迁移测试或应力迁移测试的结构。

7.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括保护层，所述保护层将各个所述测试元件组掩埋在内并分别暴露出所述第一焊盘、所述第三焊盘、所述第二焊盘和所述第四焊盘的开口。

8.如权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述保护层包括氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层。

9.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括如权利要求1-8任一项所述的测试结构。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构具有半导体衬底，所述半导体衬底包括多个器件区域，相邻所述器件区域之间具有切割道，所述器件区域中设置有半导体器件，所述切割道内设置有所述测试结构。