[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111112800.9 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838925A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 石艳伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括衬底和位于衬底上的栅极，该衬底包括沿第一方向配置的有源区和位于有源区在第二方向两侧的隔离区，该栅极沿第二方向延伸到有源区两侧的隔离区，该栅极具有第一型掺杂离子且在对应所述有源区与隔离区的交界处具有第二型掺杂区。该第二型掺杂区的掺杂类型与该栅极中第一型掺杂离子的类型相反，因此能够减小有源区边缘的电场，即有源区边缘对应的沟道边缘区域更不容易或反型的时间更晚，所以能够抑制沟道边缘区域提前开启，即提高沟道边缘区域的电压阈值，改善Id‑Vg曲线的双驼峰现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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