[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111112800.9 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838925A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 石艳伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，包括沿第一方向配置的有源区，以及位于所述有源区在垂直所述第一方向的第二方向两侧的隔离区；
位于所述衬底上的栅极，所述栅极沿所述第二方向延伸到所述有源区两侧的所述隔离区，所述栅极具有第一型掺杂离子，且所述栅极在对应所述有源区与隔离区的交界处具有第二型掺杂区，所述第二型掺杂区的掺杂类型与所述栅极中所述第一型掺杂离子的类型相反。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极包括多晶硅且所述第一型掺杂离子为N型掺杂离子，所述第二型掺杂区为P型掺杂区。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区的掺杂类型为P型，所述衬底的有源区中在所述第一方向的两端分别具有N型掺杂的源极和漏极。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极包括多晶硅且所述第一型掺杂离子为P型掺杂离子，所述第二型掺杂区为N型掺杂区。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
与所述栅极在所述第一方向的两侧连接的侧墙，所述侧墙在对应所述有源区与所述隔离区的交界处具有所述第二型掺杂区，所述第二型掺杂区在所述第一方向延伸。
6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括沿第一方向配置的有源区，以及位于所述有源区在垂直所述第一方向的第二方向两侧的隔离区；
在所述衬底上方形成栅极，所述栅极沿所述第二方向延伸到有源区两侧的所述隔离区，所述栅极具有第一型掺杂离子，且所述栅极在对应所述有源区与隔离区的交界处具有第二型掺杂区，所述第二型掺杂区的掺杂类型与所述栅极中所述第一型掺杂离子的类型相反。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上方形成栅极的步骤，包括：
形成沿所述第二方向延伸的栅极，所述栅极延伸到所述有源区两侧的所述隔离区；
向所述栅极进行所述第一型的离子注入；
在所述栅极对应所述有源区与隔离区的交界处进行所述第二型的离子注入，以形成所述第二型掺杂区。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述向所述栅极进行所述第一型的离子注入的步骤，包括：
向所述栅极进行N型离子注入；
所述在所述栅极对应所述有源区与隔离区的交界处进行所述第二型的离子注入的步骤，包括：在所述栅极对应所述有源区与隔离区的交界处进行P型离子注入。
9.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述向所述栅极进行所述第一型的离子注入的步骤，包括：
向所述栅极进行P型离子注入；
所述在所述栅极对应所述有源区与隔离区的交界处进行所述第二型的离子注入的步骤，包括：在所述栅极对应所述有源区与隔离区的交界处进行N型离子注入。
10.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
形成与所述栅极在所述第一方向的两侧连接的侧墙；
对所述侧墙在对应所述有源区与隔离区的交界处进行所述第二型的离子注入，以使所述第二型掺杂区在所述第一方向延伸到所述侧墙。
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