[发明专利]用于改进通孔集成的自组装单分子层的应用在审
| 申请号： | 202111105612.3 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN114388434A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | G·布歇;S·维亚斯;A·S·乔扈里;A·C-H·魏;C·H·华莱士 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 浩路;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于通过应用自组装单分子层（SAM）来制造IC结构的方法。一种示例IC结构包括：在支撑结构之上提供的三个金属化层的堆叠，其中第一金属化层包括底部金属线，第三金属化层包括顶部金属线，并且第二金属化层包括耦合在底部金属线与顶部金属线之间的通孔，其中第一电介质材料包围通孔的侧壁。一个或多个SAM的应用导致了通孔的侧壁的至少一部分被内衬有第二电介质材料，使得第二电介质材料处于第一电介质材料与所述通孔的导电材料之间，其中第二电介质材料的介电常数高于第一电介质材料的介电常数并且低于大约6。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 集成 组装 单分子层 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
