[发明专利]用于改进通孔集成的自组装单分子层的应用

权利要求书

1.一种集成电路（IC）结构，包括：

支撑结构；

在所述支撑结构之上的第一、第二和第三金属化层的堆叠，其中第一金属化层包括底部导电线，第三金属化层包括顶部导电线，并且第二金属化层处于第一与第三金属化层之间且包括通孔，所述通孔具有耦合到底部导电线的第一端和耦合到顶部导电线的第二端，

其中：

第二金属化层包括包围所述通孔的侧壁的第一电介质材料，

所述通孔的侧壁的至少一部分被内衬有第二电介质材料，使得第二电介质材料处于第一电介质材料与所述通孔的导电材料之间，以及

第二电介质材料的介电常数高于第一电介质材料的介电常数并且低于大约6。

2.根据权利要求1所述的IC结构，其中第一电介质材料的介电常数低于3.5。

3.根据权利要求1所述的IC结构，其中第二电介质材料的介电常数在大约3.5与大约5.5之间。

4.根据权利要求1所述的IC结构，其中第二电介质材料的密度高于第一电介质材料的密度。

5.根据权利要求4所述的IC结构，其中第一电介质材料的密度低于大约1.8克/立方厘米。

6.根据权利要求4所述的IC结构，其中第二电介质材料的密度高于1.8克/立方厘米。

7.根据权利要求4所述的IC结构，其中第二电介质材料的密度在大约1.9与大约2.5克/立方厘米之间。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的IC结构，进一步包括：在第二与第三金属化层之间的一部分中的阻隔材料，其中所述阻隔材料在所述通孔的第二端与顶部导电线之间中断。

9.根据权利要求8所述的IC结构，其中所述阻隔材料处于第三金属化层的顶部导电线与第一电介质材料之间。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的IC结构，进一步包括：在第二与第三金属化层之间的蚀刻停止材料，其中所述蚀刻停止材料在所述通孔的第二端与顶部导电线之间中断。

11.根据权利要求10所述的IC结构，其中所述蚀刻停止材料处于所述阻隔材料与第一电介质材料之间。

12.根据权利要求1-7中任一项所述的IC结构，其中所述通孔的导电材料与顶部导电线的导电填充材料接触。

13.根据权利要求1-7中任一项所述的IC结构，其中所述通孔的导电材料与底部导电线的导电材料接触。

14.一种集成电路（IC）结构，包括：

第一电介质材料的层；以及

延伸穿过第一电介质材料的层的通孔；

其中：

在所述通孔的一个或多个侧壁的至少一部分之上提供第二电介质材料，使得第二电介质材料处于第一电介质材料与所述通孔的导电材料之间，以及

第二电介质材料的介电常数高于第一电介质材料的介电常数并且低于大约6。

15.根据权利要求14所述的IC结构，其中第二电介质材料的密度高于第一电介质材料的密度。