[发明专利]具有堆叠单光子雪崩二极管(SPAD)像素阵列的晶体管集成在审

专利信息
申请号: 202111097688.6 申请日: 2021-09-18
公开(公告)号: CN114256276A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: H·W·李;C·L·尼克拉斯;S·万代;X·范 申请(专利权)人: 苹果公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郭星
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开涉及具有堆叠单光子雪崩二极管(SPAD)像素阵列的晶体管集成。本文公开了使用具有单光子雪崩二极管(SPAD)的像素阵列的光电检测器。该像素阵列可具有包括用于每个SPAD的一个或多个控制晶体管的配置,该一个或多个控制晶体管与像素并置在同一芯片或晶圆上,并且位于晶圆的与像素阵列的聚光表面相对的表面上。该控制晶体管可被定位或配置用于与键合到像素阵列的晶圆的逻辑芯片互连。该像素可形成于具有掺杂梯度的衬底中。该控制晶体管可被定位在SPAD上或SPAD内,或者与SPAD相邻但与SPAD隔离。各个SPAD与相应控制晶体管之间的隔离可利用浅沟槽隔离区或深沟槽隔离区。
搜索关键词: 具有 堆叠 光子 雪崩 二极管 spad 像素 阵列 晶体管 集成
【主权项】:
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