[发明专利]具有堆叠单光子雪崩二极管(SPAD)像素阵列的晶体管集成在审
申请号: | 202111097688.6 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN114256276A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | H·W·李;C·L·尼克拉斯;S·万代;X·范 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郭星 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及具有堆叠单光子雪崩二极管(SPAD)像素阵列的晶体管集成。本文公开了使用具有单光子雪崩二极管(SPAD)的像素阵列的光电检测器。该像素阵列可具有包括用于每个SPAD的一个或多个控制晶体管的配置,该一个或多个控制晶体管与像素并置在同一芯片或晶圆上,并且位于晶圆的与像素阵列的聚光表面相对的表面上。该控制晶体管可被定位或配置用于与键合到像素阵列的晶圆的逻辑芯片互连。该像素可形成于具有掺杂梯度的衬底中。该控制晶体管可被定位在SPAD上或SPAD内,或者与SPAD相邻但与SPAD隔离。各个SPAD与相应控制晶体管之间的隔离可利用浅沟槽隔离区或深沟槽隔离区。 | ||
搜索关键词: | 具有 堆叠 光子 雪崩 二极管 spad 像素 阵列 晶体管 集成 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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