[发明专利]一种芯片封装结构制作方法及芯片封装结构在审
| 申请号： | 202111091989.8 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113808958A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 章霞 | 申请（专利权）人： | 成都奕斯伟系统集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/13;H01L23/31 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 张红平 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供的芯片封装结构制作方法及芯片封装结构，涉及封装技术领域，在上述方法中，先在粘连层上制作芯片限位结构，然后再在芯片限位结构所形成的芯片限位孔中放置芯片，最后通过在芯片与芯片限位结构之间填充第一塑封材料的形式对芯片进行封装。如此通过芯片限位孔对芯片进行限位，再进行封装，可以避免第一塑封材料在进行封装的过程中因高温下流动及第一塑封材料的收缩而引起的芯片位置偏移，确保芯片封装质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
