[发明专利]一种芯片封装结构制作方法及芯片封装结构在审

专利信息
申请号: 202111091989.8 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113808958A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 章霞 申请(专利权)人: 成都奕斯伟系统集成电路有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/13;H01L23/31
代理公司: 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 代理人: 张红平
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构 制作方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述方法包括:

提供一载片;

在所述载片上制作一粘连层;

在所述粘连层远离所述载片的一侧制作芯片限位结构;

将芯片放入到所述芯片限位结构所形成的芯片限位孔中,并与所述粘连层粘接固定;

在所述芯片与所述芯片限位结构之间填充第一塑封材料形成第一塑封层,以在所述载片上得到所述芯片封装结构。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述在所述粘连层远离所述载片的一侧制作芯片限位结构的步骤,包括:

在所述粘连层上制作光刻胶层;

通过对所述光刻胶层进行曝光显影形成芯片限位结构图案;

在所述芯片限位结构图案中填充第二塑封材料,在所述第二塑封材料胶黏固化后移除所述芯片限位结构图案,形成所述芯片限位结构。

3.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述在所述粘连层远离所述载片的一侧制作芯片限位结构的步骤,包括:

在所述粘连层上制作第二塑封层;

在所述第二塑封层中以激光开孔的方式形成所述芯片限位结构。

4.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述在所述粘连层远离所述载片的一侧制作芯片限位结构的步骤,包括:

在所述粘连层上放置一注塑模具,其中,所述注塑模具包括中空的芯片限位结构图案;

在所述注塑模具上制作第二塑封层;

移除所述注塑模具,以在所述粘连层上形成所述芯片限位结构。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述将芯片放入到所述芯片限位结构所形成的芯片限位孔中,并与所述粘连层粘接固定的步骤,包括:

将所述芯片的芯片连接引脚所在的一侧朝向所述粘连层后放入到所述芯片限位孔中,并将所述芯片的芯片连接引脚所在的一侧与所述粘连层粘接固定。

6.如权利要求5所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,在所述在所述芯片与所述芯片限位结构之间填充第一塑封材料形成第一塑封层,以在所述载片上得到所述芯片封装结构的步骤之后,所述方法还包括:

将所述芯片封装结构与所述载片分离;

在所述芯片封装结构中所述芯片的芯片连接引脚所在的一侧制作重布线层,将所述芯片连接引脚引出到所述重布线层远离所述芯片封装结构的一侧;

在所述重布线层远离所述芯片封装结构的一侧植入与所述重布线层连接的锡球。

7.如权利要求1-4中任意一项所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述将芯片放入到所述芯片限位结构所形成的芯片限位孔中,并与所述粘连层粘接固定的步骤,包括:

将所述芯片背离芯片连接引脚的一侧朝向所述粘连层放入到所述芯片限位孔中,将所述芯片背离芯片连接引脚的一侧与所述粘连层粘接固定。

8.如权利要求7所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,在所述在所述芯片与所述芯片限位结构之间填充第一塑封材料形成第一塑封层,以在所述载片上得到所述芯片封装结构的步骤之后,所述方法还包括:

对所述第一塑封层远离所述载片的一侧进行研磨;

在所述第一塑封层远离所述载片的一侧制作重布线层,将所述芯片的芯片连接引脚引出到所述重布线层远离所述芯片封装结构的一侧;

在所述重布线层远离所述载片的一侧植入与所述重布线层连接的锡球;

将所述芯片封装结构与所述载片分离,并在所述芯片封装结构与所述载片分离的一侧贴背胶膜。

9.一种芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构采用权利要求1-4中任意一项所述的芯片封装结构制作方法制作而成,所述芯片封装结构包括:

芯片限位结构;

位于所述芯片限位结构形成的芯片限位孔中的芯片;及

填充在所述芯片与所述芯片限位结构之间的塑封层。

10.如权利要求9所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片限位结构由塑封材料制作而成;

所述芯片限位结构与所述塑封层采用不同的塑封材料制作而成。

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