[发明专利]一种芯片封装结构制作方法及芯片封装结构在审
申请号: | 202111091989.8 | 申请日: | 2021-09-17 |
公开(公告)号: | CN113808958A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 章霞 | 申请(专利权)人: | 成都奕斯伟系统集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/13;H01L23/31 |
代理公司: | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 张红平 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
1.一种芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一载片;
在所述载片上制作一粘连层;
在所述粘连层远离所述载片的一侧制作芯片限位结构;
将芯片放入到所述芯片限位结构所形成的芯片限位孔中,并与所述粘连层粘接固定;
在所述芯片与所述芯片限位结构之间填充第一塑封材料形成第一塑封层,以在所述载片上得到所述芯片封装结构。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述在所述粘连层远离所述载片的一侧制作芯片限位结构的步骤,包括:
在所述粘连层上制作光刻胶层;
通过对所述光刻胶层进行曝光显影形成芯片限位结构图案;
在所述芯片限位结构图案中填充第二塑封材料,在所述第二塑封材料胶黏固化后移除所述芯片限位结构图案,形成所述芯片限位结构。
3.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述在所述粘连层远离所述载片的一侧制作芯片限位结构的步骤,包括:
在所述粘连层上制作第二塑封层;
在所述第二塑封层中以激光开孔的方式形成所述芯片限位结构。
4.如权利要求1所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述在所述粘连层远离所述载片的一侧制作芯片限位结构的步骤,包括:
在所述粘连层上放置一注塑模具,其中,所述注塑模具包括中空的芯片限位结构图案;
在所述注塑模具上制作第二塑封层;
移除所述注塑模具,以在所述粘连层上形成所述芯片限位结构。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述将芯片放入到所述芯片限位结构所形成的芯片限位孔中,并与所述粘连层粘接固定的步骤,包括:
将所述芯片的芯片连接引脚所在的一侧朝向所述粘连层后放入到所述芯片限位孔中,并将所述芯片的芯片连接引脚所在的一侧与所述粘连层粘接固定。
6.如权利要求5所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,在所述在所述芯片与所述芯片限位结构之间填充第一塑封材料形成第一塑封层,以在所述载片上得到所述芯片封装结构的步骤之后,所述方法还包括:
将所述芯片封装结构与所述载片分离;
在所述芯片封装结构中所述芯片的芯片连接引脚所在的一侧制作重布线层,将所述芯片连接引脚引出到所述重布线层远离所述芯片封装结构的一侧;
在所述重布线层远离所述芯片封装结构的一侧植入与所述重布线层连接的锡球。
7.如权利要求1-4中任意一项所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,所述将芯片放入到所述芯片限位结构所形成的芯片限位孔中,并与所述粘连层粘接固定的步骤,包括:
将所述芯片背离芯片连接引脚的一侧朝向所述粘连层放入到所述芯片限位孔中,将所述芯片背离芯片连接引脚的一侧与所述粘连层粘接固定。
8.如权利要求7所述的芯片封装结构制作方法,其特征在于,在所述在所述芯片与所述芯片限位结构之间填充第一塑封材料形成第一塑封层,以在所述载片上得到所述芯片封装结构的步骤之后,所述方法还包括:
对所述第一塑封层远离所述载片的一侧进行研磨;
在所述第一塑封层远离所述载片的一侧制作重布线层,将所述芯片的芯片连接引脚引出到所述重布线层远离所述芯片封装结构的一侧;
在所述重布线层远离所述载片的一侧植入与所述重布线层连接的锡球;
将所述芯片封装结构与所述载片分离,并在所述芯片封装结构与所述载片分离的一侧贴背胶膜。
9.一种芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构采用权利要求1-4中任意一项所述的芯片封装结构制作方法制作而成,所述芯片封装结构包括:
芯片限位结构;
位于所述芯片限位结构形成的芯片限位孔中的芯片;及
填充在所述芯片与所述芯片限位结构之间的塑封层。
10.如权利要求9所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片限位结构由塑封材料制作而成;
所述芯片限位结构与所述塑封层采用不同的塑封材料制作而成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都奕斯伟系统集成电路有限公司,未经成都奕斯伟系统集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111091989.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种安全性较高的电表
- 下一篇:一种通过风味物质快速判别佛跳墙品质的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造