[发明专利]溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体在审
| 申请号： | 202111090388.5 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113817993A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 清水正义;岩渊靖幸;增田爱美 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16;B22F3/14;B22F3/105;C22C1/05;C22C1/10;C22C32/00;G11B5/73;G11B5/84;G11B5/851;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 日本东京都港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体，其中该溅镀靶含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分，上述选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上，且含有Nb |
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| 搜索关键词： | 溅镀靶 积层膜 制造 方法 记录 媒体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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