[发明专利]溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体在审
申请号: | 202111090388.5 | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN113817993A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 清水正义;岩渊靖幸;增田爱美 | 申请(专利权)人: | JX金属株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/16;B22F3/14;B22F3/105;C22C1/05;C22C1/10;C22C32/00;G11B5/73;G11B5/84;G11B5/851;H01F41/18 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 日本东京都港*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅镀靶 积层膜 制造 方法 记录 媒体 | ||
1.一种溅镀靶,其含有Co与包含Cr及Ru中的至少Ru的金属作为金属成分,该包含Cr及Ru中的至少Ru的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上,且含有Nb2O5作为金属氧化物成分,Nb2O5的含量为2mol%~5mol%,进一步含有Nb2O5以外的金属氧化物,包含Nb2O5的金属氧化物的合计含量为30vol%以上。
2.根据权利要求1所述的溅镀靶,其中,该Nb2O5以外的金属氧化物是选自由TiO2、SiO2、B2O3、CoO、Co3O4、Cr2O3、Ta2O5、ZnO及MnO组成的群中的至少一种金属氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的溅镀靶,其以15mol%~60mol%含有Co。
4.根据权利要求1或2所述的溅镀靶,其含有Cr及Ru中的至少Ru,且将Cr及Ru的合计含量设为30mol%~60mol%。
5.根据权利要求1或2所述的溅镀靶,其进一步以5mol%~30mol%含有Pt作为金属成分。
6.一种积层膜的制造方法,其包括:通过使用根据权利要求1至5中任一项所述的溅镀靶的溅镀,在含有Ru的基底层上形成中间层。
7.根据权利要求6所述的积层膜的制造方法,其进一步包括:通过使用含有Co及Pt作为金属成分的溅镀靶的溅镀,在该中间层上形成磁性层。
8.一种积层膜,其包含:
基底层:含有Ru;
中间层:形成于该基底层上,含有Co与选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属作为金属成分,该选自由Cr及Ru组成的群中之一种以上的金属的含量相对于Co的含量的摩尔比为1/2以上;以及
磁性层:形成于该中间层上,含有Co及Pt作为金属成分;
该中间层含有Nb2O5作为金属氧化物成分,Nb2O5的含量为2mol%~5mol%,进一步含有Nb2O5以外的金属氧化物,包含Nb2O5的金属氧化物的合计含量为30vol%以上。
9.一种磁记录媒体,其具备根据权利要求8所述的积层膜。
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