[发明专利]一种低表面漏电流的探测器及其制作方法

摘要

本发明提供一种低表面漏电流的探测器，包括InP衬底，在InP衬底上依次生长有通过蚀刻形成的隔离台与P台。所述衬底、隔离台与P台的上表面以及隔离台、P台的侧面依次生长有第一钝化层与第二钝化层。所述隔离台的上表面设有穿过所述第一钝化层与第二钝化层的n型接触金属环，在所述P台上表面设有穿过所述第一钝化层与第二钝化层的p型接触金属环。本发明用复合钝化层（复合钝化层由下至上为半绝缘InP或InAlAs与介质膜钝化层）代替传统介质膜钝化层对探测器进行钝化，减少了钝化层与半导体界面之间的缺陷与界面态，有利于减小器件的漏电流。