[发明专利]SG SOI半导体器件建模方法在审
| 申请号： | 202111078850.X | 申请日： | 2021-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN115809626A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 程贺;杨志家;张志鹏;张超;刘铁锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 王倩 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及SG SOI半导体器件建模方法，包括以下步骤：通过脚本构建SG SOI半导体器件的数学模型；将脚本导入到电路模拟器中；通过获取脚本内数学模型内的半导体器件参数信息，得到SG SOI半导体器件的半导体器件模型，实现半导体器件的建模。本发明的SG SOI半导体器件建模方法利用抛物线近似与摄动方法计算所述沟道表面势、载流子子带能级与各参数的关系，解决现有技术中模型无法描述弹道输运、量子限制效应的难点，进而帮助改善电路设计的仿真验证，为芯片设计提供支持；同时满足高效电路设计开发的需求，为半导体工艺开发提供方向。 | ||
| 搜索关键词： | sg soi 半导体器件 建模 方法 | ||
【主权项】：
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