[发明专利]SG SOI半导体器件建模方法

权利要求书

1.SG SOI半导体器件建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过脚本构建SG SOI半导体器件的数学模型；

将脚本导入到电路模拟器中；

通过获取脚本内数学模型内的半导体器件参数信息，得到SG SOI半导体器件的半导体器件模型，实现半导体器件的建模。

2.根据权利要求1所述的SG SOI半导体器件建模方法，其特征在于，所述SG SOI半导体器件的数学模型为长沟道的N型SG SOI金属氧化物半导体场效应管的数学模型：

其中，k_B、T、分别为玻尔兹曼常数、绝对温度、普朗克常数，r表示为沟道内与载流子传导方向相垂直的圆形截面的半径分量，Q_eline为基于高斯定理的电磁场的电荷密度，Q_qline为基于量子统计理论计算的电荷密度，m₀为真空中的电子质量，m_C^*为传输方向上的载流子有效质量，n_v为能带结构的能谷指数，表示具体能带结构的能谷简并度，表示为导带中载流子的子带能级，右上角标q0表示非摄动项的载流子能级表示第阶第一种贝塞尔函数的第n_r个零点值，表示载流子在SGSOI沟道限制截面内的半径方向即r方向上的有效质量，及n_r分别表示角度分量量子数与半径分量量子数，V_DS为源漏间电压，由E_F,S及E_F,D间的差决定，E_F,S及E_F,D分别代表了源、漏端的费米能级，R_ref为载流子在势能壁垒处的后向散射常数，V_t为热电压，w定义为沟道内的静电势分布函数；R为SG SOI沟道圆形横截面的半径长度，q表示单位电荷量，ΔU_G为沟道表面与中心电势差的沟道表面势的关联假设参数，代表载流子各个子带能级的摄动常数，w_S为SG SOI半导体器件的沟道表面势。

3.根据权利要求1所述的SG SOI半导体器件建模方法，其特征在于，所述SG SOI半导体器件的数学模型为长沟道的N型SG SOI金属氧化物半导体场效应管的数学模型：

在亚阈值区间，即栅-源间电压小于半导体器件开启的阈值电压：

在深反型层区间，即栅-源间电压大于半导体器件开启的阈值电压：

w_S为SG SOI半导体器件的沟道表面势。

4.根据权利要求2或3所述的SG SOI半导体器件建模方法，其特征在于，所述长沟道为真性半导体沟道长度大于20nm的SGSOI半导体器件真性半导体沟道。