[发明专利]半导体制冷器退膜蚀刻方法有效
| 申请号： | 202111072130.2 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113913823B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 吴鹏;罗玉杰;于正国 | 申请（专利权）人： | 赛创电气（铜陵）有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;C23G1/20;H01L35/34 |
| 代理公司： | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吴晨亮 |
| 地址： | 244000 安徽省铜陵*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体制冷器退膜蚀刻方法：包括以下步骤：（1）、退膜：将经过表面处理的半导体制冷器半成品依次碱洗→纯水冲洗→剥离液水浴超声→纯水冲洗→自动退膜线→IPA清洗→晾干；（2）、铜蚀刻：将铜蚀刻工段的14组喷淋管关闭前7组喷淋管，线速5000mm/min，铜蚀刻工段压力为至1.6kg；（3）、钛钨蚀刻：使用30%过氧化氢水浴加热，放入经过铜蚀刻的半导体制冷器半成品，一段时间后拿起，再用纯水浸泡、震荡，取出半导体制冷器半成品进行IPA浸泡后晾干。本发明的有益效果是通过对半导体制冷器退膜蚀刻的工艺参数的调整，能够得到退膜蚀刻外观效果合格的成品。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 器退膜 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
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