[发明专利]半导体制冷器退膜蚀刻方法

权利要求书

1.半导体制冷器退膜蚀刻方法，其特征是：包括以下步骤：（1）、退膜：将经过表面处理的半导体制冷器半成品依次碱洗→纯水冲洗→剥离液水浴超声→纯水冲洗→自动退膜线→IPA清洗→晾干，所述碱洗是在50℃下用10% NaOH浸泡10min；（2）、铜蚀刻：将铜蚀刻工段的14组喷淋管关闭前7组喷淋管，线速5000mm/min，铜蚀刻工段压力为至1.6kg；（3）、钛钨蚀刻：使用30%过氧化氢水浴加热，放入经过铜蚀刻的半导体制冷器半成品，一段时间后拿起，再用纯水浸泡、震荡，取出半导体制冷器半成品进行IPA浸泡后晾干。

2.如权利要求1所述的半导体制冷器退膜蚀刻方法，其特征是：所述步骤（1）的纯水冲洗是在常温下冲洗10min。

3.如权利要求1所述的半导体制冷器退膜蚀刻方法，其特征是：所述步骤（1）的剥离液水浴超声是在70℃下超声5min。

4.如权利要求1所述的半导体制冷器退膜蚀刻方法，其特征是：所述步骤（1）的自动退膜线的线速度为3000 mm/min。

5.如权利要求1所述的半导体制冷器退膜蚀刻方法，其特征是：所述步骤（1）的IPA清洗是在常温下浸泡3~5min。

6.如权利要求1所述的半导体制冷器退膜蚀刻方法，其特征是：所述步骤（3）的水浴加热温度控制在70±2℃。

7.如权利要求1所述的半导体制冷器退膜蚀刻方法，其特征是：所述步骤（3）的水浴加热时间为20s。

8.如权利要求1所述的半导体制冷器退膜蚀刻方法，其特征是：所述步骤（3）的纯水浸泡、震荡时间为10min。

9.如权利要求1所述的半导体制冷器退膜蚀刻方法，其特征是：所述步骤（3）的IPA浸泡时间为3~5min。