[发明专利]半导体制冷器退膜蚀刻方法

说明书

本发明公开了半导体制冷器退膜蚀刻方法：包括以下步骤：（1）、退膜：将经过表面处理的半导体制冷器半成品依次碱洗→纯水冲洗→剥离液水浴超声→纯水冲洗→自动退膜线→IPA清洗→晾干；（2）、铜蚀刻：将铜蚀刻工段的14组喷淋管关闭前7组喷淋管，线速5000mm/min，铜蚀刻工段压力为至1.6kg；（3）、钛钨蚀刻：使用30%过氧化氢水浴加热，放入经过铜蚀刻的半导体制冷器半成品，一段时间后拿起，再用纯水浸泡、震荡，取出半导体制冷器半成品进行IPA浸泡后晾干。本发明的有益效果是通过对半导体制冷器退膜蚀刻的工艺参数的调整，能够得到退膜蚀刻外观效果合格的成品。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造工艺技术领域，尤其涉及半导体制冷器退膜蚀刻方法。

背景技术

半导体制冷器(Thermoelectric cooler)是指利用半导体的热-电效应制取冷量的器件，又称热电制冷器。用导体连接两块不同的金属,接通直流电,则一个接点处温度降低，另一个接点处温度升高。TEC包括一些P型和N型对（组），它们通过电极连在一起，并且夹在两个陶瓷电极之间；当有电流从TEC流过时，电流产生的热量会从TEC的一侧传到另一侧，在TEC上产生″热″侧和″冷″侧，这就是TEC的加热与制冷原理。

半导体制冷器的工艺流程大致如下：取料-激光打孔-磁控溅镀-线路-线路检验-激光成型-电镀-抛光-表面处理-退膜蚀刻-表面处理前处理-成型切割-成品检验-包装。

其中退膜蚀刻阶段各家有各家的做法，而退膜蚀刻的效果好坏又直接影响后续工艺甚至成品的质量好坏，退膜蚀刻处理不好会出现线路变形、夹膜等问题，严重影响外观，也会影响产品质量，目前未见对于半导体制冷器退膜蚀刻的研究报道。

发明内容

本发明要解决的技术问题是现有的半导体制冷器退膜蚀刻工艺没有标准的流程，为此提供一种半导体制冷器退膜蚀刻方法。

本发明的技术方案是：半导体制冷器退膜蚀刻方法，包括以下步骤：（1）、退膜：将经过表面处理的半导体制冷器半成品依次碱洗→纯水冲洗→剥离液水浴超声→纯水冲洗→自动退膜线→IPA清洗→晾干；（2）、铜蚀刻：将铜蚀刻工段的14组喷淋管关闭前7组喷淋管，线速5000mm/min，铜蚀刻工段压力为至1.6kg；（3）、钛钨蚀刻：使用30%过氧化氢水浴加热，放入经过铜蚀刻的半导体制冷器半成品，一段时间后拿起，再用纯水浸泡、震荡，取出半导体制冷器半成品进行IPA浸泡后晾干。

上述方案中所述步骤（1）的碱洗是在50℃下用10% NaOH浸泡10min。

上述方案中所述步骤（1）的纯水冲洗是在常温下冲洗10min。

上述方案中所述步骤（1）的剥离液水浴超声是在70℃下超声5min。

上述方案中所述步骤（1）的自动退膜线的线速度为3000 mm/min。

上述方案中所述步骤（1）的IPA清洗是在常温下浸泡3~5min。

上述方案中所述步骤（3）的水浴加热温度控制在70±2℃。

上述方案中所述步骤（3）的水浴加热时间为20s。

上述方案中所述步骤（3）的纯水浸泡、震荡时间为10min。

上述方案中所述步骤（3）的IPA浸泡时间为3～5min。

本发明的有益效果是通过对半导体制冷器退膜蚀刻的工艺参数的调整，能够得到退膜蚀刻外观效果合格的成品。

附图说明

图1是半导体制冷器表面处理后退膜蚀刻前照片；

图2是半导体制冷器退膜蚀刻采用70℃10% NaOH浸泡1min后的照片；

图3是半导体制冷器退膜蚀刻采用70℃10% NaOH浸泡10min后的照片；