[发明专利]一种半导体制程管道的清洁方法在审
| 申请号： | 202111021987.1 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113718248A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 赵振合 | 申请（专利权）人： | 筑磊半导体技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00;C23C18/32;C23C18/18;C23C22/00;C23C28/00;C09D7/61;C09D5/08;C09D1/00 |
| 代理公司： | 北京沃知思真知识产权代理有限公司 11942 | 代理人： | 唐丽萍 |
| 地址： | 201824 上海市嘉定区真*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制程管道的清洁方法，涉及半导体制程管道技术领域，包括以下步骤：预先制备清洁涂料，再进行对半导体制程管道进行二次总成钝化，进行保护焊缝区域因打磨处理而导致一次钝化膜被破坏的区域，进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理，将制备半成品涂抹清洁涂料制得成品。本发明经浸镍处理的半导体制程管道，强度大大提高，而通过半导体制程管道涂抹清洁涂料，提高其耐腐蚀性能，不仅消除潜在质量隐患，满足加工工艺要求且满足生产装配需求的同时，而且使用状况优良，延长半导体制程管道的使用寿命，保证生产装配运营，节约生产售后维修成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 管道 清洁 方法 | ||
【主权项】：
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