[发明专利]一种半导体制程管道的清洁方法在审
申请号: | 202111021987.1 | 申请日: | 2021-09-01 |
公开(公告)号: | CN113718248A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 赵振合 | 申请(专利权)人: | 筑磊半导体技术(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C26/00 | 分类号: | C23C26/00;C23C18/32;C23C18/18;C23C22/00;C23C28/00;C09D7/61;C09D5/08;C09D1/00 |
代理公司: | 北京沃知思真知识产权代理有限公司 11942 | 代理人: | 唐丽萍 |
地址: | 201824 上海市嘉定区真*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 管道 清洁 方法 | ||
1.一种半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,包括以下步骤:
预先制备清洁涂料,其中清洁涂料包括以下原料组份:
TiO2 19.3%、SiO2 6.4%、Al2O3 10.3%、Al(H2PO4)3 54%和MgO 10%;
进行对半导体制程管道进行二次总成钝化,进行保护焊缝区域因打磨处理而导致一次钝化膜被破坏的区域;
进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理,包括以下步骤:
预先在酸性溶液中于常温条件下处理20~30分钟;
用工业纯水冲洗后,置于重铬酸钾溶液中室温处理2~4分钟;
再取出用工业纯水冲洗,工业纯水冲洗,在镍盐溶液中浸泡1~3分钟;
取出,用工业纯水洗净处理后表面,进行干燥制备半成品;
将制备半成品涂抹清洁涂料,制得成品,其中,所获涂层的厚度为26um,附着力为一级,抗冲击性能为20cm,磨损量为0.0003g。
2.根据权利要求1所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,
进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理,包括以下步骤:
预先在酸性溶液中于常温条件下处理20分钟;
用工业纯水冲洗后,置于重铬酸钾溶液中室温处理2分钟;
再取出用工业纯水冲洗,工业纯水冲洗,在镍盐溶液中浸泡1分钟;
取出,用工业纯水洗净处理后表面,进行干燥制备半成品;
将制备半成品涂抹清洁涂料,制得成品,其中,所获涂层的厚度为26um,附着力为一级,抗冲击性能为20cm,磨损量为0.0003g。
3.根据权利要求1所述的半导体制程管道的清洁方法,
进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理,包括以下步骤:
预先在酸性溶液中于常温条件下处理25分钟;
用工业纯水冲洗后,置于重铬酸钾溶液中室温处理3分钟;
再取出用工业纯水冲洗,工业纯水冲洗,在镍盐溶液中浸泡2分钟;
取出,用工业纯水洗净处理后表面,进行干燥制备半成品;
将制备半成品涂抹清洁涂料,制得成品,其中,所获涂层的厚度为26um,附着力为一级,抗冲击性能为20cm,磨损量为0.0003g。
4.根据权利要求1所述的半导体制程管道的清洁方法,
进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理,包括以下步骤:
预先在酸性溶液中于常温条件下处理30分钟;
用工业纯水冲洗后,置于重铬酸钾溶液中室温处理4分钟;
再取出用工业纯水冲洗,工业纯水冲洗,在镍盐溶液中浸泡3分钟;
取出,用工业纯水洗净处理后表面,进行干燥制备半成品;
将制备半成品涂抹清洁涂料,制得成品,其中,所获涂层的厚度为26um,附着力为一级,抗冲击性能为20cm,磨损量为0.0003g。
5.根据权利要求2、3或4所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,所述酸性溶液,包括以下原料组份:
FeCl3·6H2O 92克、HCl 800毫升和工业纯水458毫升。
6.根据权利要求5所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,所述重铬酸钾溶液,包括以下原料组份:
K2Cr2O7 90克、H2SO4 800毫升和工业纯水450毫升。
7.根据权利要求6所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,所述镍盐溶液,包括以下原料组份:
NiSO4·6H2O 42克、CH3COONa 18克、NaH2PO4·H2O 12克和工业纯水1130毫升。
8.根据权利要求7所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,所述将制备半成品涂抹清洁涂料,包括半成品基材温度20℃,喷砂除锈等级为Sa2.5,空气吹扫压力为0.5MPa,涂层厚度为26um。
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