[发明专利]一种半导体制程管道的清洁方法在审

专利信息
申请号: 202111021987.1 申请日: 2021-09-01
公开(公告)号: CN113718248A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 赵振合 申请(专利权)人: 筑磊半导体技术(上海)有限公司
主分类号: C23C26/00 分类号: C23C26/00;C23C18/32;C23C18/18;C23C22/00;C23C28/00;C09D7/61;C09D5/08;C09D1/00
代理公司: 北京沃知思真知识产权代理有限公司 11942 代理人: 唐丽萍
地址: 201824 上海市嘉定区真*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 管道 清洁 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,包括以下步骤:

预先制备清洁涂料,其中清洁涂料包括以下原料组份:

TiO2 19.3%、SiO2 6.4%、Al2O3 10.3%、Al(H2PO4)3 54%和MgO 10%;

进行对半导体制程管道进行二次总成钝化,进行保护焊缝区域因打磨处理而导致一次钝化膜被破坏的区域;

进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理,包括以下步骤:

预先在酸性溶液中于常温条件下处理20~30分钟;

用工业纯水冲洗后,置于重铬酸钾溶液中室温处理2~4分钟;

再取出用工业纯水冲洗,工业纯水冲洗,在镍盐溶液中浸泡1~3分钟;

取出,用工业纯水洗净处理后表面,进行干燥制备半成品;

将制备半成品涂抹清洁涂料,制得成品,其中,所获涂层的厚度为26um,附着力为一级,抗冲击性能为20cm,磨损量为0.0003g。

2.根据权利要求1所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,

进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理,包括以下步骤:

预先在酸性溶液中于常温条件下处理20分钟;

用工业纯水冲洗后,置于重铬酸钾溶液中室温处理2分钟;

再取出用工业纯水冲洗,工业纯水冲洗,在镍盐溶液中浸泡1分钟;

取出,用工业纯水洗净处理后表面,进行干燥制备半成品;

将制备半成品涂抹清洁涂料,制得成品,其中,所获涂层的厚度为26um,附着力为一级,抗冲击性能为20cm,磨损量为0.0003g。

3.根据权利要求1所述的半导体制程管道的清洁方法,

进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理,包括以下步骤:

预先在酸性溶液中于常温条件下处理25分钟;

用工业纯水冲洗后,置于重铬酸钾溶液中室温处理3分钟;

再取出用工业纯水冲洗,工业纯水冲洗,在镍盐溶液中浸泡2分钟;

取出,用工业纯水洗净处理后表面,进行干燥制备半成品;

将制备半成品涂抹清洁涂料,制得成品,其中,所获涂层的厚度为26um,附着力为一级,抗冲击性能为20cm,磨损量为0.0003g。

4.根据权利要求1所述的半导体制程管道的清洁方法,

进行对半导体制程管道被焊缝区域进行浸镍处理,包括以下步骤:

预先在酸性溶液中于常温条件下处理30分钟;

用工业纯水冲洗后,置于重铬酸钾溶液中室温处理4分钟;

再取出用工业纯水冲洗,工业纯水冲洗,在镍盐溶液中浸泡3分钟;

取出,用工业纯水洗净处理后表面,进行干燥制备半成品;

将制备半成品涂抹清洁涂料,制得成品,其中,所获涂层的厚度为26um,附着力为一级,抗冲击性能为20cm,磨损量为0.0003g。

5.根据权利要求2、3或4所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,所述酸性溶液,包括以下原料组份:

FeCl3·6H2O 92克、HCl 800毫升和工业纯水458毫升。

6.根据权利要求5所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,所述重铬酸钾溶液,包括以下原料组份:

K2Cr2O7 90克、H2SO4 800毫升和工业纯水450毫升。

7.根据权利要求6所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,所述镍盐溶液,包括以下原料组份:

NiSO4·6H2O 42克、CH3COONa 18克、NaH2PO4·H2O 12克和工业纯水1130毫升。

8.根据权利要求7所述的半导体制程管道的清洁方法,其特征在于,所述将制备半成品涂抹清洁涂料,包括半成品基材温度20℃,喷砂除锈等级为Sa2.5,空气吹扫压力为0.5MPa,涂层厚度为26um。

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