[发明专利]屏蔽栅MOSFET器件、芯片和终端设备在审
| 申请号： | 202111017743.6 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113745316A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;姜春亮;林泳浩;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 王敏生 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及屏蔽栅MOSFET器件、芯片和设备终端，该屏蔽栅MOSFET器件中的元胞结构体包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的第一上表面设置屏蔽栅，屏蔽栅的上方设置控制栅，第一导电类型漂移区和控制栅各自与屏蔽栅之间设置第一隔离层，第一导电类型漂移区的第二上表面设置第二导电类型基区，第二导电类型基区的上方设置第一导电类型源区，第一导电类型源区中靠近控制栅的第三上表面设置第二隔离层，第二隔离层的部分上表面与第一导电类型源区中远离控制栅的第四上表面设有源极金属层，第二上表面与所述第一上表面各自所在区域的漂移层厚度之差大于屏蔽栅与第一隔离层的厚度之和。上述屏蔽栅MOSFET器件降低了栅源电容。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 mosfet 器件 芯片 终端设备 | ||
【主权项】：
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