[发明专利]一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法在审
| 申请号： | 202111009980.8 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113782439A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法，位于基底上的多个Fin结构，Fin结构及其上的缓冲层、硬掩膜层构成叠层；叠层侧壁覆盖第一侧墙；沉积有机分布层并刻蚀至将Fin结构侧壁的一部分暴露；继续沉积有机分布层，将Fin结构的部分包裹；在叠层侧壁形成第二侧墙；将有机分布层全部去除，与有机分布层接触的Fin结构侧壁部分被暴露；利用FCVD法沉积氧化层并退火，暴露出的Fin结构在退火过程中由于被氧化其宽度变窄；刻蚀去除硬掩膜层、缓冲层及第二侧墙。本发明通过FCVD将用作NMOS和PMOS的Fin结构中的部分氧化以减小其宽度，得到宽度变窄的抗穿通区域，针对该部分抗穿通区域可以使用更少的掺杂或不使用掺杂。通过缩小抗穿通区域的宽度，可以获得更好的短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 结构 中的 fin 形貌 设计 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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