[发明专利]一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法

权利要求书

1.一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供基底，在所述基底上刻蚀形成多个Fin结构，所述Fin结构上形成有缓冲层；所述缓冲层上形成有硬掩膜层；所述Fin结构、缓冲层以及硬掩膜层构成叠层；所述叠层的侧壁覆盖有第一侧墙；

步骤二、沉积覆盖所述叠层及其上所述第一侧墙、所述硅基底上表面的有机分布层；之后沿所述叠层的侧壁刻蚀所述有机分布层以及所述第一侧墙至将所述Fin结构的侧壁部分暴露为止；所述Fin结构的底部仍保留一部分所述第一侧墙；所述硅基底上仍剩余所述有机分布层；

步骤三、在剩余的所述有机分布层上继续沉积有机分布层，使其将所述Fin结构的一部分包裹；之后在所述有机分布层上方的所述Fin结构部分、所述缓冲层以及所述硬掩膜层的侧壁形成第二侧墙；

步骤四、将所述有机分布层全部去除，与所述有机分布层直接接触的所述Fin结构的侧壁部分被暴露；

步骤五、利用FCVD的方法沉积一层氧化层，所述氧化层覆盖被暴露出的所述Fin结构部分，之后进行退火处理，暴露出的所述Fin结构在退火过程中由于被氧化其宽度变窄；

步骤六、刻蚀去除所述硬掩膜层、缓冲层以及第二侧墙。

2.根据权利要求1所述的FinFET结构中的Fin形貌设计方法，其特征在于：步骤一中在所述叠层的侧壁形成所述第一侧墙的方法包括：在所述硅基底上沉积覆盖所述叠层的第一材料；之后刻蚀所述第一材料使所述叠层中的所述硬掩膜层的顶部暴露，并且使所述硅基底上表面暴露，在所述叠层的侧壁保留所述第一材料，形成所述第一侧墙。

3.根据权利要求1所述的FinFET结构中的Fin形貌设计方法，其特征在于：步骤一中的所述缓冲层为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的FinFET结构中的Fin形貌设计方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的FinFET结构中的Fin形貌设计方法，其特征在于：步骤五中由于被氧化而宽度变窄的所述Fin结构部分为抗穿通区域。

6.根据权利要求1所述的FinFET结构中的Fin形貌设计方法，其特征在于：步骤六中刻蚀去除所述硬掩膜层、缓冲层以及第二侧墙的同时，所述抗穿通区域上方的所述氧化层被去除。

7.根据权利要求1所述的FinFET结构中的Fin形貌设计方法，其特征在于：步骤一的所述叠层中，包括用作NMOS和用作PMOS的所述叠层。

8.根据权利要求5所述的FinFET结构中的Fin形貌设计方法，其特征在于：步骤五中的宽度变窄的所述抗穿通区域用以获得更好的短沟道效应。