[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构有效
| 申请号： | 202111007834.1 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113725222B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 楚明;罗兴安;张莉;王雄禹;周毅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：提供基底，基底包括依次层叠的衬底和堆叠结构；在各第一牺牲层的远离衬底的裸露表面上形成第二牺牲层，得到多个预备台阶，第二牺牲层包括层叠的多个第二子牺牲层，且任意相邻的两个第二子牺牲层中，第一个第二子牺牲层的掺杂浓度小于第二个第二子牺牲层的掺杂浓度；在基底的裸露表面上以及各预备台阶的裸露表面上沉积介质材料；将各预备台阶中的第一牺牲层的材料以及第二牺牲层的预定部分的材料分别置换为导电材料，形成多个导电层，置换后的预备台阶为台阶；对形成有多个台阶的基底进行刻蚀，使得各台阶的导电层裸露，形成多个沟槽。该方法保证了制作良率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
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