[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括依次层叠的衬底和堆叠结构，所述堆叠结构包括本体结构和位于所述本体结构中的台阶区域，所述本体结构包括交替叠置的绝缘介质层和第一牺牲层；

在各所述第一牺牲层的远离所述衬底的裸露表面上形成第二牺牲层，得到多个预备台阶，所述预备台阶包括依次叠置的所述绝缘介质层、所述第一牺牲层以及所述第二牺牲层，所述第二牺牲层不与其他的所述预备台阶的侧壁接触，所述第二牺牲层包括层叠的多个第二子牺牲层，且任意相邻的两个所述第二子牺牲层中，第一个所述第二子牺牲层的掺杂浓度小于第二个所述第二子牺牲层的掺杂浓度，其中，第一个所述第二子牺牲层与所述第一牺牲层的距离为H1，第二个所述第二子牺牲层与所述第一牺牲层的距离为

H2，H1＜H2；

在所述基底的裸露表面上以及各所述预备台阶的裸露表面上沉积介质材料；

将各所述预备台阶中的所述第一牺牲层的材料以及所述第二牺牲层的预定部分的材料分别置换为导电材料，形成多个导电层，置换后的所述预备台阶为台阶，其中，所述预定部分为一个或者多个连续的所述第二子牺牲层，且所述预定部分包括与所述第一牺牲层接触的所述第二子牺牲层，剩余的所述第二子牺牲层为阻挡层；

对形成有多个所述台阶的所述基底进行刻蚀，使得各所述台阶的所述导电层裸露，形成多个沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在各所述第一牺牲层的远离所述衬底的裸露表面上形成第二牺牲层，包括：

在所述基底的裸露表面上依次形成多个叠置的预备子牺牲层，任意相邻的两个所述预备子牺牲层中，后一个形成的所述预备子牺牲层的掺杂浓度小于前一个形成的所述预备子牺牲层的掺杂浓度；

对形成有多个所述预备子牺牲层的所述基底进行刻蚀，去除各所述预备子牺牲层的部分，形成多个所述预备台阶，剩余的所述预备子牺牲层为各所述第二子牺牲层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将各所述预备台阶中的所述第一牺牲层的材料以及所述第二牺牲层的预定部分的材料分别置换为导电材料，包括：

将各所述预备台阶中的各所述第一牺牲层的材料置换为所述导电材料；

将各所述预备台阶中与所述第一牺牲层接触的所述第二子牺牲层的材料置换为所述导电材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将各所述预备台阶中的所述第一牺牲层的材料以及所述第二牺牲层的预定部分的材料分别置换为导电材料，包括：

将各所述预备台阶中的各所述第一牺牲层的材料置换为所述导电材料；

将各所述预备台阶中的多个所述第二子牺牲层的材料置换为所述导电材料，其中，多个所述第二子牺牲层包括与所述第一牺牲层接触的所述第二子牺牲层，且多个所述第二子牺牲层连续。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述台阶区域包括顶层台阶区域以及底层台阶区域，所述顶层台阶区域与所述衬底的距离大于所述底层台阶区域与所述衬底的距离，所述顶层台阶区中所述第二牺牲层的厚度大于所述底层台阶区域中所述第二牺牲层的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对形成有多个所述台阶的所述基底进行刻蚀，使得各所述台阶的所述导电层裸露，形成多个沟槽之后，所述方法还包括：

在各所述沟槽中填充所述导电材料，形成多个接触孔。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，将各所述预备台阶中的所述第一牺牲层的材料以及所述第二牺牲层的预定部分的材料分别置换为导电材料，包括：

刻蚀去除各所述预备台阶上的所述第一牺牲层以及所述第二牺牲层的预定部分，形成多个凹槽；

在所有的所述凹槽中填充所述导电材料。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，各所述第二子牺牲层中的掺杂材料独立地选自碳、硼以及氧中的一种或者几种。