[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底的一侧形成外围电路；在半导体衬底的相对的另一侧形成牺牲层和堆叠结构，堆叠结构包括核心区，其包括多个贯穿堆叠结构并延伸至半导体衬底的多个沟道结构；形成贯穿堆叠结构并延伸至牺牲层内的栅极间隙；以及经由栅极间隙将牺牲层替换为导电层以电连接多个沟道结构。本申请提供的三维存储器，其外围电路与半导体层和存储堆叠结构形成在同一半导体衬底相对的两侧，提高了器件的集成度；另外，在形成SWNN结构时，半导体衬底将外围电路深入其中的部分与待形成SWNN结构的部分隔两侧，提高了SWNN结构的适配性。