[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202111001643.4 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN115117084A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 松尾浩司 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 牛玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种能够提高可靠性的半导体存储装置,包括:第1半导体(32),在与基板(30)平行的第1方向(X方向)上延伸;第1导电体(41),在与基板垂直的第2方向(Z方向)上延伸;第1电荷积蓄层(44),以将第1导电体的外周包围的方式设置;第1绝缘体(42),在第1导电体与第1电荷积蓄层之间以将第1导电体包围的方式设置;第2绝缘体(45),在第1电荷积蓄层与第1半导体之间以将第1电荷积蓄层包围的方式设置;以及第1存储单元(MC)。第2绝缘体的外周的一部分与第1半导体相接。第1存储单元包括第1导电体、第1半导体、设在第1导电体与第1半导体之间的第1电荷积蓄层的一部分、第1绝缘体的一部分及第2绝缘体的一部分。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
暂无信息
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