[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其中，具备：

第1半导体，在与基板平行的第1方向上延伸；

第1导电体，在与上述基板垂直的第2方向上延伸；

第1电荷积蓄层，以包围上述第1导电体的外周的方式设置；

第1绝缘体，在上述第1导电体与上述第1电荷积蓄层之间以包围上述第1导电体的方式设置；

第2绝缘体，在上述第1电荷积蓄层与上述第1半导体之间以包围上述第1电荷积蓄层的方式设置；以及

第1存储单元，

上述第2绝缘体的外周的一部分与上述第1半导体相接，

上述第1存储单元包括上述第1导电体、上述第1半导体、设在上述第1导电体与上述第1半导体之间的上述第1电荷积蓄层的一部分、上述第1绝缘体的一部分及上述第2绝缘体的上述一部分。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

上述第2绝缘体的外周的其他部分与第3绝缘体相接。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

上述第1半导体与上述第3绝缘体相接的面弯曲。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，还具备：

第2半导体，设在上述第1半导体的上方；

第2电荷积蓄层，以包围上述第1导电体的外周的方式设置；

第4绝缘体，在上述第1导电体与上述第2电荷积蓄层之间以包围上述第1导电体的方式设置；

第5绝缘体，在上述第2电荷积蓄层与上述第2半导体之间以包围上述第2电荷积蓄层的方式设置；以及

第2存储单元，

上述第5绝缘体的外周的一部分与上述第2半导体相接，

上述第2存储单元包括上述第1导电体、上述第2半导体、设在上述第1导电体与上述第2半导体之间的上述第2电荷积蓄层的一部分、上述第4绝缘体的一部分及上述第5绝缘体的上述一部分。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

上述第1电荷积蓄层的直径与上述第2电荷积蓄层的直径不同。

6.如权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

上述第1半导体的与上述第1方向及上述第2方向交叉的第3方向上的宽度，与上述第2半导体的上述第3方向上的宽度不同。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体存储装置，其中，还具备：

第2半导体，在上述第2方向上延伸；

第3电荷积蓄层，以包围上述第1导电体的外周的方式设置；

第6绝缘体，在上述第1导电体与上述第1电荷积蓄层之间以包围上述第1导电体的方式设置；

第7绝缘体，在上述第3电荷积蓄层与上述第1半导体之间以包围上述第3电荷积蓄层的方式设置；以及

第3存储单元，

上述第7绝缘体的外周的一部分与上述第1半导体相接；

上述第3存储单元包括上述第2导电体、上述第1半导体、设在上述第2导电体与上述第1半导体之间的上述第3电荷积蓄层的一部分、上述第6绝缘体的一部分及上述第7绝缘体的上述一部分。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中，

在上述第1电荷积蓄层与上述第3电荷积蓄层之间，存在设有由上述第2绝缘体、上述第1半导体和上述第7绝缘体构成的3层构造的区域。