[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111001629.4 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115132844A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 马场祥太郎;加藤浩朗;藤农佑树;富田幸太 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：硅层，位于硅基板与上部电极之间，具有单元区域、侧面和位于单元区域与侧面之间的末端区域；以及多晶硅部，被埋入到硅层的末端区域，与硅层接触，结晶颗粒密度比硅层高，包含重金属。硅层具有设在单元区域及末端区域中、且第1导电型杂质浓度比硅基板低、包含与多晶硅部所包含的重金属相同种类的重金属的第1导电型的漂移层。末端区域不包含与上部电极接触的基底层、与上部电极接触的源极层及栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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