[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具备：硅层，位于硅基板与上部电极之间，具有单元区域、侧面和位于单元区域与侧面之间的末端区域；以及多晶硅部，被埋入到硅层的末端区域，与硅层接触，结晶颗粒密度比硅层高，包含重金属。硅层具有设在单元区域及末端区域中、且第1导电型杂质浓度比硅基板低、包含与多晶硅部所包含的重金属相同种类的重金属的第1导电型的漂移层。末端区域不包含与上部电极接触的基底层、与上部电极接触的源极层及栅极电极。

关联申请

本申请以日本专利申请2021－49759号(申请日：2021年3月24日)为基础申请而主张优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式主要涉及半导体装置。

背景技术

在MOSFET(Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistor)中，与基于栅极电极的控制的动作部独立地存在内置二极管(体二极管)。通过改善其内置二极管的反向恢复特性，能够贡献于电路的效率。作为改善内置二极管的反向恢复特性的方法，已知有向漂移层中导入重金属等、对漂移层中的载流子的寿命进行控制的方法。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够使内置二极管的反向恢复特性提高的半导体装置。

根据技术方案，半导体装置具备：上部电极；下部电极；第1导电型的硅基板，位于上述上部电极与上述下部电极之间，与上述下部电极接触；硅层，位于上述硅基板与上述上部电极之间，具有单元区域、侧面和位于上述单元区域与上述侧面之间的末端区域；栅极电极，设在上述硅层的上述单元区域中；栅极绝缘膜，设在上述栅极电极与上述硅层之间；以及多晶硅部，被埋入到上述硅层的上述末端区域，与上述硅层接触，结晶颗粒密度比上述硅层高，包含重金属。上述硅层具有：第1导电型的漂移层，设在上述单元区域及上述末端区域中，第1导电型杂质浓度比上述硅基板低，包含与上述多晶硅部所包含的重金属相同种类的重金属；第2导电型的基底层，设在上述单元区域的上述漂移层上，与上述上部电极接触；以及第1导电型的源极层，设在上述基底层上，与上述上部电极接触，第1导电型杂质浓度比上述漂移层高；上述末端区域不包含与上述上部电极接触的上述基底层、与上述上部电极接触的上述源极层、及上述栅极电极。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图2是沿着图1的A－A线的示意剖视图。

图3是第2实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图4是第3实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图5是第4实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图6是各实施方式的第1变形例的半导体装置的示意俯视图。

图7是各实施方式的第2变形例的半导体装置的示意俯视图。

图8是各实施方式的第3变形例的半导体装置的示意剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。另外，在各图中，对于相同的结构赋予相同的标号。在以下的实施方式中，将第1导电型设为n型，将第2导电型设为p型进行说明，但也可以将第1导电型设为p型，将第2导电型设为n型。

[第1实施方式]

图1是第1实施方式的半导体装置1的示意俯视图。另外，在图1中为了使说明容易理解而仅表示了特征性的部分。

图2是沿着图1的A－A线的示意剖视图。