[发明专利]制造半导体器件的方法和对应器件在审

专利信息
申请号: 202110958716.2 申请日: 2021-08-20
公开(公告)号: CN114093778A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: F·V·丰塔纳;M·罗维托 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法和对应器件。至少一个半导体芯片或裸片被保持在芯片保持器件中提供的芯片保存结构内。然后,芯片保持器件被定位,其中至少一个半导体芯片或裸片被布置成面向芯片安装基底中的芯片附接位置。该定位在布置在芯片保存结构处的至少一个半导体芯片或裸片与芯片安装基底中的芯片附接位置之间产生腔。芯片附接材料被分配到腔中。一旦被固化,在芯片安装基底中的芯片附接位置处,芯片附接材料将至少一个半导体芯片或裸片附接到基底上。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法 对应 器件
【主权项】:
暂无信息
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