[发明专利]制造半导体器件的方法和对应器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

将至少一个半导体芯片或裸片保持在由芯片保持器件提供的芯片保存结构内；

将所述芯片保持器件布置成面向芯片安装基底的芯片附接位置，其中布置将所述芯片保持器件的外围放置成与所述芯片安装基底接触、并且在所述至少一个半导体芯片或裸片与所述芯片附接位置之间形成腔；以及

将芯片附接材料分配到所述腔中，其中所述芯片附接材料将所述至少一个半导体芯片或裸片在所述芯片附接位置处附接到所述芯片安装基底上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中保持包括：经由施加亚大气压，将所述至少一个半导体芯片或裸片保存在所述芯片保持器件的所述芯片保存结构内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述芯片保存结构包括在所述芯片保持器件中的凹陷部分。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述芯片安装基底中的所述芯片附接位置处，提供至少一个蚀刻部分；以及

其中分配包括：将所述芯片附接材料分配到所述腔中、并且穿过所述至少一个蚀刻部分。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：使所述芯片安装基底与加热表面接触，以便促进将芯片附接材料分配到所述腔中。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：将所述加热表面加热到在60℃与90℃之间的温度。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述芯片安装基底加热，以便促进所述芯片附接材料的固化。

8.根据权利要求7所述的方法，其中加热包括：加热到在150℃与250℃之间的温度。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：利用加热源来加热在与所述腔相对的位置处的所述至少一个半导体芯片或裸片，以便防止在所述至少一个半导体芯片或裸片与所述芯片保存结构之间的芯片附接材料的流动。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：将所述加热源加热到在150℃与170℃之间的温度。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：向所述芯片保存结构提供表面雕刻，以在将芯片附接材料分配到所述腔中期间提供从所述腔的排气路径。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述芯片保持器件包括：

器件主体，具有相互相对的表面，其中所述芯片保存结构被提供在所述相互相对的表面中的一个表面处；以及

至少一个附接材料分配管道，延伸穿过所述器件主体，所述至少一个附接材料分配管道在与所述芯片保存结构相邻的所述相互相对的表面中的所述一个表面处具有材料分配端开口，所述至少一个附接材料分配管道被配置成将芯片附接材料分配到所述腔中。

13.根据权利要求1所述的方法，其中布置所述芯片保持器件包括：将垫圈压缩在所述芯片保持器件的所述外围与所述芯片安装基底之间。

14.根据权利要求1所述的方法，其中将所述芯片附接材料分配到所述腔中包括：通过形成在所述芯片保持器件的主体中的管道进行分配。

15.一种芯片保持器件，包括：

器件主体，具有相互相对的表面，其中在所述相互相对的表面中的一个表面处提供芯片保存结构，所述芯片保存结构被配置成保持至少一个半导体芯片或裸片；以及

至少一个附接材料分配管道，延伸穿过所述器件主体，所述至少一个附接材料分配管道在与所述芯片保存结构相邻的所述相互相对的表面中的所述一个表面处具有材料分配端开口，所述至少一个附接材料分配管道被配置成将芯片附接材料分配到腔中。