[发明专利]一种可多次外延的超结功率MOSFET结构及使用方法在审
| 申请号： | 202110956734.7 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113690196A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16;H01L23/24;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/06;H01L29/423;H01L23/00;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;A62C3/16 |
| 代理公司： | 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777 | 代理人： | 魏昕 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市湖里区*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可多次外延的超结功率MOSFET结构及使用方法，涉及半导体场效应晶体管技术领域，包括N型衬底和外壳，衬底置于外壳的内部，N型衬底的顶端固定连接有第一外延层，第一外延层的顶端固定连接有第二外延层，第一外延层的顶端开凿有两个沟槽，第二外延层的中部开凿有两个通槽；本发明通过设置N型衬底，其表面借助外延工艺形成第一外延层，在第一外延层的顶端进行刻蚀，形成两个沟槽，第二外延层表面的中部形成栅氧化层，在栅氧化层的表面形成多晶硅栅极，这样双层外延甚至可多层外延的设计，可大大提高MOSFET的击穿电压和性能，双层或多层之间有理想的电阻率匹配，能提高叠加的多个外延层的界面特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多次 外延 功率 mosfet 结构 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯一代集成电路有限公司，未经厦门芯一代集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110956734.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
