[发明专利]一种可多次外延的超结功率MOSFET结构及使用方法

权利要求书

1.一种可多次外延的超结功率MOSFET结构，包括N型衬底(1)和外壳(19)，其特征在于：所述N型衬底(1)置于外壳(19)的内部，所述N型衬底(1)的顶端固定连接有第一外延层(2)，所述第一外延层(2)的顶端固定连接有第二外延层(3)，所述第一外延层(2)的顶端开凿有两个沟槽(4)，所述第二外延层(3)的中部开凿有两个通槽(5)，两个所述沟槽(4)分别与两个通槽(5)的内部均填充有P柱(6)，所述第二外延层(3)的顶端开凿有两个体区槽(7)，两个体区槽(7)的内部均固定嵌接有P型体区(8)，两个所述P型体区(8)的顶端均固定嵌接有两个N型体区(9)，其中两个所述N型体区(9)的顶端固定连接有S源极(13)，其中另外两个所述N型体区(9)的顶端固定连接有D漏极(15)，所述第二外延层(3)顶端的中部固定连接有栅氧化层(17)，所述栅氧化层(17)的顶端固定设有多晶硅栅极(18)，所述多晶硅栅极(18)的顶端固定设有G栅极(14)；

所述外壳(19)顶端的中部和底端的中部均设有降温机构，所述外壳(19)的一端固定贯穿有三个电极柱(26)，三个所述电极柱(26)的外部设有密封机构，三个所述电极柱(26)的一端部均设有保护牵引机构。

2.根据权利要求1所述的一种可多次外延的超结功率MOSFET结构，其特征在于，所述S源极(13)、D漏极(15)和G栅极(14)分别与三个电极柱(26)电性连接，所述第二外延层(3)的顶端固定设有绝缘层(11)，四个所述N型体区(9)分别与两个P型体区(8)之间均固定嵌设有保护层(10)，所述绝缘层(11)为二氧化硅(SiO2)绝缘层。

3.根据权利要求1所述的一种可多次外延的超结功率MOSFET结构，其特征在于，所述降温机构包括矩形盒(20)、多个弹性盒(22)和多个导热板(23)，所述矩形盒(20)与外壳(19)顶端的中部或底端的中部固定嵌接，多个所述弹性盒(22)均固定嵌接于矩形盒(20)的顶端，多个所述导热板(23)分别固定设于多个弹性盒(22)的底端内壁，多个所述导热板(23)的底端均固定穿插有多个散热柱(36)，多个所述散热柱(36)的中部均固定贯穿多个弹性盒(22)的底端。

4.根据权利要求3所述的一种可多次外延的超结功率MOSFET结构，其特征在于，所述矩形盒(20)的内部填充有散热油(37)，多个所述散热柱(36)的底部均置于散热油(37)中，所述矩形盒(20)的内部设有多个膨胀球(35)，多个所述膨胀球(35)的顶端均固定穿插连接有导热针(34)，所述矩形盒(20)的顶端固定设有多个导热支块(21)，多个所述导热针(34)的顶部均固定贯穿矩形盒(20)的顶端分别与多个导热支块(21)的底端固定穿插连接。

5.根据权利要求1所述的一种可多次外延的超结功率MOSFET结构，其特征在于，所述密封机构包括条形板(24)、多个导热杆(27)、三个密封蜡块(38)，所述条形板(24)与外壳(19)的一端固定嵌接，所述条形板(24)的中部对称开凿有三个矩形槽，三个所述电极柱(26)的另一端部均分别贯穿三个矩形槽的内部，三个所述矩形槽的内部均固定设有一对U形网板(25)。

6.根据权利要求5所述的一种可多次外延的超结功率MOSFET结构，其特征在于，三个所述矩形槽的顶端内壁分别与三个密封蜡块(38)固定嵌接，多个所述导热杆(27)的一端均依次固定贯穿条形板(24)正面的顶部和三个密封蜡块(38)的一侧壁，多个所述导热杆(27)的另一端均固定连接有L形导热片(28)。

7.根据权利要求1所述的一种可多次外延的超结功率MOSFET结构，其特征在于，所述保护牵引机构包括三个J形保护套(29)、三对弹性拉杆(31)和三个连接块(32)，三个所述J形保护套(29)分别活动套设于三个电极柱(26)的一端部，三个所述连接块(32)的底端分别与三个J形保护套(29)顶端的一侧固定连接，三个所述连接块(32)顶端的中心处均固定嵌设有焊接点(33)。