[发明专利]一种具有异质结的结势垒肖特基器件在审
| 申请号： | 202110955608.X | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113675279A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李茂宾 | 申请（专利权）人： | 江苏芯唐微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16;H01L29/165 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳;聂启新 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有异质结的结势垒肖特基器件，涉及肖特基器件领域，该结势垒肖特基器件在具有第一掺杂类型的半导体外延层的表面形成有第二掺杂类型的变掺杂区，变掺杂区内部设置有贯穿变掺杂区的表面至底部的具有第二掺杂类型的多晶硅层；当该结势垒肖特基器件正向偏置时，电流通过多晶硅层及其外部的变掺杂区与半导体外延层的接触界面形成的异质结，以及阳极金属层与半导体外延层的接触界面形成肖特基结流向漂移区，电流密度相对较大，由于半导体外延层整体的掺杂浓度不变，而且相同的变掺杂区同样可以夹断台面，使得肖特基势垒被屏蔽在高电场之外，所以，在有较优的正向导通特性的基础上，该结构的反向击穿特性也不会受到严重影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 异质结 结势垒肖特基 器件 | ||
【主权项】：
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