[发明专利]一种具有异质结的结势垒肖特基器件

权利要求书

1.一种具有异质结的结势垒肖特基器件，其特征在于，所述结势垒肖特基器件包括从下至上依次层叠的阴极金属层、半导体衬底、半导体外延层以及阳极金属层，所述半导体衬底和半导体外延层均具有第一掺杂类型；所述半导体外延层的表面形成有第二掺杂类型的变掺杂区，所述变掺杂区内部设置有贯穿所述变掺杂区的表面至底部的具有第二掺杂类型的多晶硅层；所述多晶硅层及其外部的变掺杂区与所述半导体外延层的接触界面形成异质结，所述阳极金属层与所述半导体外延层的接触界面形成肖特基结。

2.根据权利要求1所述的结势垒肖特基器件，其特征在于，所述多晶硅层位于所述变掺杂区的中心。

3.根据权利要求2所述的结势垒肖特基器件，其特征在于，所述多晶硅层与所述变掺杂区在垂直方向上的深度相等，所述多晶硅层在水平方向上的宽度与所述多晶硅层外侧的变掺杂区的宽度相等。

4.根据权利要求3所述的结势垒肖特基器件，其特征在于，所述多晶硅层和所述变掺杂区在垂直方向上的深度均为1μm，所述多晶硅层在水平方向上的宽度与所述多晶硅层外侧的变掺杂区的宽度均为0.4μm。

5.根据权利要求1所述的结势垒肖特基器件，其特征在于，所述变掺杂区通过在所述半导体外延层的表面进行离子注入形成，且所述变掺杂区的掺杂浓度高于所述半导体外延层的掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的结势垒肖特基器件，其特征在于，所述半导体外延层的掺杂浓度为5×10¹⁵cm^-3，所述变掺杂区的掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3。

7.根据权利要求1-6任一所述的结势垒肖特基器件，其特征在于，当所述结势垒肖特基器件正向偏置时，电流通过所述异质结和所述肖特基结流向所述半导体外延层形成的漂移区。