[发明专利]一种半导体激光器制备方法有效
| 申请号： | 202110950473.8 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113913743B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;郭娟 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/14;C23C14/30;C23C14/34;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 徐俊伟 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明及光通信激光器技术领域，提供了一种半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，制作具有沟槽的特殊陪条；S2，采用所述特殊陪条的沟槽遮挡激光器的前后腔面出光区域；S3，待遮挡完毕后对前后腔面采用电子束金属蒸发或溅射工艺，使得前后腔面的非出光区域镀金。本发明的一种半导体激光器制备方法，通过选择性镀金的方式，在激光器的前后腔面均镀金，可将腔面产生的热量传导掉，能有效减少由于腔面温度持续升高而导致的光学损伤，提高激光器的使用寿命和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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