[发明专利]一种半导体激光器制备方法

说明书

本发明及光通信激光器技术领域，提供了一种半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，制作具有沟槽的特殊陪条；S2，采用所述特殊陪条的沟槽遮挡激光器的前后腔面出光区域；S3，待遮挡完毕后对前后腔面采用电子束金属蒸发或溅射工艺，使得前后腔面的非出光区域镀金。本发明的一种半导体激光器制备方法，通过选择性镀金的方式，在激光器的前后腔面均镀金，可将腔面产生的热量传导掉，能有效减少由于腔面温度持续升高而导致的光学损伤，提高激光器的使用寿命和稳定性。

技术领域

本发明及光通信激光器技术领域，具体为一种半导体激光器制备方法。

背景技术

半导体激光器具有体积小，重量轻，成本低，易于规模生产的优点，在光存储，光通信，国防等领域有广阔的发展前景。随着半导体激光器的应用越来越广泛，对半导体激光器输出功率，寿命以及稳定性的要求也越来越高，并且已经成为限制半导体激光器性能的重要因素。

半导体激光器失效是影响性能的的重要因素，在对半导体激光器开展的失效分析中，腔面退化是一个主要的失效模式。由于激光器有源区材料中含有Al或In元素，当芯片制造工艺均匀性或一致性较差时，Al、In元素在高功率工作下会发生融化或再结晶，导致腔面出现杂质或缺陷，从而使腔面温度不断升高，端面的电流密度继续增大导致该区域温度进一步升高，最终导致灾变光学损伤，造成失效。

吴根柱等人(CN 1400698A)发明了一种实现半导体激光器后腔面高反射涂层的膜系结构，目的是提高激光器的输出功率，减小阈值电流，其特征是采用金属银作为高反射镀膜材料，在激光器后腔面采用电子束蒸镀方法实现了高反射涂层，均有良好的化学稳定性和热稳定性，能有效的保护半导体激光器后腔面。吴惠桢等人(CN 1527450A)在此基础上将金属范围作了进一步的优化，将金属银扩大到了金属铝，金，银中的一种(如图1)。以上均在后腔面进行金属膜层蒸镀，将后腔面产生的热量传导掉，保护了后腔面的化学稳定性和热稳定性，而前腔面避免不了由于温度升高而导致的光学失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体激光器制备方法，通过选择性镀金的方式，在激光器的前后腔面均镀金，可将腔面产生的热量传导掉，能有效减少由于腔面温度持续升高而导致的光学损伤，提高激光器的使用寿命和稳定性。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：一种半导体激光器制备方法，包括如下步骤：

S1，制作具有沟槽的特殊陪条；

S2，采用所述特殊陪条的沟槽遮挡激光器的前后腔面出光区域；

S3，待遮挡完毕后对前后腔面采用电子束金属蒸发或溅射工艺，使得前后腔面的非出光区域镀金。

进一步，在所述S1步骤中，利用光刻工艺和湿法腐蚀工艺制作所述特殊陪条，并将沟槽的深度控制在1～50μm。

进一步，所述沟槽设在所述特殊陪条的底面上。

进一步，在所述S2步骤中，遮挡的方式具体是，采用具有所述特殊陪条的镀膜夹具夹持激光器并遮挡激光器的前后腔面出光区域。

进一步，利用自动叠巴机，先叠加常规陪条，再将所述特殊陪条和激光器巴条依次叠加到镀膜夹具中。

进一步，所述特殊陪条的沟槽与半导体激光器前后腔面的距离控制在2～4μm。

进一步，蒸镀时采用的金属为金、银或铜。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：一种半导体激光器制备方法，通过选择性镀金的方式，在激光器的前后腔面均镀金，可将腔面产生的热量传导掉，能有效减少由于腔面温度持续升高而导致的光学损伤，提高激光器的使用寿命和稳定性。

附图说明

图1为现有技术提供的一种半导体激光器后腔面高反射涂层的膜系结构示意图；