[发明专利]一种半导体激光器制备方法有效
| 申请号： | 202110950473.8 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113913743B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;郭娟 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/14;C23C14/30;C23C14/34;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 徐俊伟 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，制作具有沟槽的特殊陪条；
S2，采用所述特殊陪条的沟槽遮挡激光器的前后腔面出光区域，所述沟槽设在所述特殊陪条的底面上，遮挡的方式具体是：采用具有所述特殊陪条的镀膜夹具夹持激光器并遮挡激光器的前后腔面出光区域；
S3，待遮挡完毕后对前后腔面采用电子束金属蒸发或溅射工艺，使得前后腔面的非出光区域镀金、银或铜。
2.如权利要求1所述的一种半导体激光器制备方法，其特征在于，在所述S1步骤中，利用光刻工艺和湿法腐蚀工艺制作所述特殊陪条，并将沟槽的深度控制在1～50μm。
3.如权利要求1所述的一种半导体激光器制备方法，其特征在于：利用自动叠巴机，先叠加常规陪条，再将所述特殊陪条和激光器巴条依次叠加到镀膜夹具中。
4.如权利要求1所述的一种半导体激光器制备方法，其特征在于：所述特殊陪条的沟槽与半导体激光器前后腔面的距离控制在2～4μm。
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