[发明专利]一种基于应力阻尼调节的光刻工艺热点修正方法及系统有效
申请号: | 202110936548.7 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113777876B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 尉海清;刘世元;江浩 | 申请(专利权)人: | 武汉宇微光学软件有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人: | 邓彦彦 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于应力阻尼调节的光刻工艺热点修正方法及系统,其方法包括:获取掩模图案的标记热点;以标记热点为中心在掩模版上形成N个由内至外的环形带;将位于各环形带中的掩模图案的顶点沿偏离标记热点的方向移动特定距离,并将移动后的顶点按照原连接关系连接,得到更新布图;对更新布图进行电气特性的验证,判断更新布图的电气特性的偏差是否处于可容忍范围内,若否,则进行几何修正以补偿电参数的偏差后结束修正,若是,则结束修正。通过定位标记热点并将以标记热点为中心的布局区域划分为多个环形带,通过移动环形带内的掩模图案顶点来增大热点区域内掩模图案之间的间距,从而消除热点且不改变掩模图案整体的电学特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 应力 阻尼 调节 光刻 工艺 热点 修正 方法 系统 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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