[发明专利]一种基于应力阻尼调节的光刻工艺热点修正方法及系统

说明书

本发明公开了一种基于应力阻尼调节的光刻工艺热点修正方法及系统，其方法包括：获取掩模图案的标记热点；以标记热点为中心在掩模版上形成N个由内至外的环形带；将位于各环形带中的掩模图案的顶点沿偏离标记热点的方向移动特定距离，并将移动后的顶点按照原连接关系连接，得到更新布图；对更新布图进行电气特性的验证，判断更新布图的电气特性的偏差是否处于可容忍范围内，若否，则进行几何修正以补偿电参数的偏差后结束修正，若是，则结束修正。通过定位标记热点并将以标记热点为中心的布局区域划分为多个环形带，通过移动环形带内的掩模图案顶点来增大热点区域内掩模图案之间的间距，从而消除热点且不改变掩模图案整体的电学特性。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种基于应力阻尼调节的光刻工艺热点修正方法和系统。

背景技术

半导体集成电路(Integrated Circuit，IC)是电子信息产业的核心，随着互联网产业的高速发展，集成电路显得越来越重要，而光刻是大规模集成电路制造的核心技术之一，它的任务是将掩模图形转移到涂敷于硅片的光刻胶上，它代表了制造工艺的先进程度，直接决定能够制造的最小图形尺寸，进而决定集成电路的性能。

随着技术节点的不断减小，当光刻图形的关键尺寸达到所采用的照明光源波长以下时，光刻成像系统存在光学临近效应(OPE,Optical Proximity Effect)现象，导致硅片上所成的曝光图形与所采用的掩模板图形相比有一定畸变，因此要预先对掩模板图形进行优化设计，进行光学临近校正(OPC,Optical Proximity Correction)，使得硅片上获得的曝光图形更加接近目标图形。

而在实际的亚波长光刻工艺中，由于设计CD的值远小于波长，在OPC版图修正后，过度的OPC修正会缩小掩模版图形之间的间距，从而导致实际硅片上的曝光图形产生诸如断路(pinch)和桥接(bridge)等缺陷，这些出现缺陷的区域叫做光刻工艺热点区域，简称光刻工艺热点或热点。而光刻工艺热点可能会影响到设备的电路性能，甚至会造成实际的电路功能完全发生改变，导致集成电路流片失败。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种基于应力阻尼调节的光刻工艺热点修正方法及系统，其目的在于消除掩模图案的热点，由此解决因掩模图案存在热点而使实际硅片上的曝光图形产生诸如断路(pinch)和桥接(bridge)等缺陷的技术问题。

为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种基于应力阻尼调节的光刻工艺热点修正方法，其包括：

步骤1：获取掩模图案的标记热点；

步骤2：形成以标记热点为中心的N个同心闭合图形，N个同心图形在掩模版上形成N个由内至外环数逐渐增加的环形带；

步骤3：将位于各环形带中的掩模图案的顶点沿偏离所述标记热点的方向移动特定距离，并将移动后的顶点按照原连接关系连接，得到更新布图，各顶点移动的距离随着所处环形带的环数的增加而减小且所述特定距离不超过版图电学设计可容忍偏差；

步骤4：对更新布图进行电气特性的验证，判断更新布图的电气特性的偏差是否处于可容忍范围内，若否，则进行几何修正以补偿电参数的偏差后结束修正，若是，则结束修正。

优选地，所述闭合图形为圆形、矩形或正多边形中的一种。

优选地，第k个环形带内的顶点移动的特定距离d_k＝(N-k)*ε,其中，ε为预先设定的移动步长。

优选地，所述将位于各环形带中的掩模图案的顶点沿偏离所述标记热点的方向移动特定距离，包括将每个顶点单独进行移动，或，将位于环形带内的包含顶点的线段整体移动。

优选地，所述闭合图形为圆形，所述环形带为圆环，所述顶点沿偏离所述标记热点的方向移动特定距离，包括：每个顶点沿从标记热点到顶点的方向移动特定距离。